A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
速箱
70ns
参数表
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
LB ＃ ， UB ＃有效的写操作的结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
民
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性（ 4M版本F）
项
V
CC
数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
注意事项：
1. CS1控制： CS1 ＃
≥
V
CC
-0.2V 。 CS2控制： CS2
≤
0.2V.
2.典型值是不是100 ％测试。
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS1#
≥
V
CC
-0.2V （注1 ） ，V
IN
≥
0V 。 BYTE ＃ = V
SS
或V
CC
V
CC
= 3.0V ， CS1 ＃
≥
V
CC
-0.2V （注1 ） ，V
IN
≥
0V
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
t
RC
典型值
-
1.0
（注2 ）
-
-
最大
3.3
10
-
-
单位
V
A
ns
2004年6月15日SRAM_Type01_02A0
SRAM
159
