4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
输出（读取）操作
该MT28F004B5和MT28F400B5功能3
不同类型的READS 。根据当前的
该装置的模式，一读操作产生的数据
从存储器阵列，状态寄存器或设备iDEN的
tification寄存器。在每个这些三种情况下，
WE＃ ， CE＃和OE ＃输入被控制在一个类似
方式。模式之间的移动来执行特定
读入命令执行部分进行说明。
寄存器可以被提供给返回到状态寄存器
阅读模式。所有的命令及其操作
在命令集和有指令执行描述
化部分。
标识寄存器
两个8位的设备标识寄存器的读
TER值需要同样的输入序列作为一个READ
的阵列。 WE＃要高，和OE ＃和CE ＃必须
是低电平。然而， ID寄存器的数据被输出仅在
的DQ0 - DQ7 ，无论BYTE ＃的条件
MT28F400B5 。 A0用于在两者之间进行解码
设备ID寄存器的字节;所有其他地址输入
是“不在乎。 ”当A0为低，制造商
兼容性ID是输出，而当A0为高电平时，
设备ID是输出。 DQ8 - DQ15是高阻时
BYTE ＃为低。当BYTE ＃为高电平， DQ8 - DQ15是
当制造商兼容性ID被读为00h
和44小时时，该设备的ID被读出。
去识别寄存器读出模式，
读出的识别可以同时发出
设备是在某些其他模式。此外， iDEN的
tification寄存器读取模式可以通过硐到达
荷兰国际集团超电压（V
ID
）的A9引脚。使用这种
方法，包括ID寄存器可以读，而该设备是
在任何模式。当A9返回到V
IL
或V
IH
中，
设备返回到先前的模式。
存储阵列
要读取的存储器阵列， WE＃要高，而
OE ＃和CE ＃必须为低电平。有效数据是在输出
当这些条件得到满足DQ引脚和
有效地址被给出。有效的数据保留在DQ
销，直到地址变更，或直到OE ＃或CE ＃
变为高电平，以先到为准。在DQ引脚CON组
tinue输出新数据的每个地址转换后，
只要OE ＃和CE ＃保持低电平。
该MT28F400B5具有可选的总线宽度。
当存储阵列进行访问的256K ×16 ，
字节＃是高电平，并且数据将在DQ0-输出
DQ15 。要访问存储阵列作为一个512K ×8 ，
BYTE ＃要低， DQ8 - DQ14是高阻，所有
数据是关于DQ0 - DQ7的输出。在DQ15 / （A - 1 ）针
成为秩序地址输入最低，使
524,288的位置可以被读取。
上电后或复位时，该设备是automati-
美云的阵列中读取模式。所有命令和它们的
操作在命令集描述的和
命令执行的部分。
投入运营
DQ管脚被使用，也可以将数据输入到所述
阵列或输入一个命令，以对CEL 。的命令
输入发出一个8位命令的CEL控制
该装置的运作模式。进行写操作，使用
将数据输入到存储器阵列。下面的节
化描述这两种类型的输入。更多信息
描述如何使用这两种类型的输入到写
或擦除设备中有指令执行规定
化部分。
状态寄存器
执行状态寄存器的读操作需要
相同的输入序列作为数组的一个READ
除了地址输入“不在乎。 ”在
状态寄存器的内容是关于DQ0-总产出
的DQ7 ，无论BYTE ＃的条件
MT28F400B5 。 DQ8 - DQ15都为低电平时， BYTE ＃为
高， DQ8 - DQ14是高阻时， BYTE ＃为
低。从状态寄存器的数据被锁存的
的OE ＃或CE ＃下降沿，最后为准。如果
在读期间，状态寄存器的变化内容
状态寄存器，无论是OE ＃或CE ＃可切换
而另一个则保持低电平来更新输出。
经过写或擦除，设备automati-
美云进入状态寄存器读模式。此外，
一个写入或擦除过程中产生的读状态
登记在DQ0 - DQ7内容。当设备处于
擦除挂起模式，读操作产生
状态寄存器的内容，直到另一个命令是
发行的，而在某些其他模式，读状态
COMMANDS
要执行的命令输入， OE ＃要高，
和CE ＃和WE ＃必须为低电平。地址是“不要
关心“，但必须保持稳定，除在擦除过程中
CONFIRM （在后面的章节中描述） 。 8位
输入命令的DQ0 - DQ7 ， DQ8的同时， DQ15都
“不关心”的MT28F400B5 。该命令是
锁存CE ＃上升沿（ CE ＃ -controlled ）或
WE＃ （ WE＃ -controlled ） ，以先到为准。该
的BYTE ＃上MT28F400B5条件没有影响
上输入的命令。
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
10
2002年，美光科技公司
