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SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
擦除过程
执行擦除操作设置中的所有位
阻止为逻辑1所必需的命令序列
执行ERASE类似于一撇。要亲
韦迪增加安全性，防止意外块擦除，
两个连续的指令周期，需要到起始
tiate块的擦除。在第一周期中，地址
是“不关心”，并清除设置（ 20H ）给出。在
在第二个周期，V
PP
必须提请V
PPH
，一
要擦除的，必须出具的块内地址，
和ERASE CONFIRM （ D0
H
）必须给出。如果一个COM
命令比ERASE CONFIRM其它给出，写
和擦除状态位（ SR4和SR5 ）被设置，并且
设备是在状态寄存器中读出的模式。
经过ERASE CONFIRM （ D0H ）发出后， ISM
启动寻址的块擦除操作。任何读
操作输出状态寄存器的内容上
DQ0 - DQ7 。 V
PP
必须在V举行
PPH
直到擦除
完成（ SR7 = 1）。当擦除完成后，
该装置是在状态寄存器中读出的模式中，直到
另一个命令发出。删除引导块
还要求，无论是RP ＃引脚设置为V
HH
or
在WP ＃引脚，同时V保持高电平
PP
设置
到V
PPH
.
ERASE暂停
可同时发出一个唯一的命令
ERASE正在进行中的擦除挂起。这个化合物
命令允许同时执行其它命令
暂停进行中的ERASE 。当该装置具有
达到擦除挂起模式，擦除暂停
状态位（ SR6 ）和ISM状态位（ SR7 ）设置。该
设备现在可以给出一个READ ARRAY， ERASE
简历或读状态寄存器命令。后
读阵列已经发出，而不是在任何位置
被擦除的块可以被读取。如果删除恢复
SR 6之前发出已经被设置，则设备被立即
ately继续进行正在进行擦除操作。
错误处理
后在ISM状态位（ SR7 ）已被设置，在V
PP
（ SR3 ） ，写（ SR4 ）和删除（ SR5 ）状态位可能
检查。如果一个或这三个位的组合
已被设定，则发生了错误。在ISM不能
重置这三个位。要清除这些位， STA- CLEAR
TUS寄存器（ 50
H
）必须给出。如果在V
PP
状态
位（ SR3 ）设置，进一步写或擦除操作
不能恢复，直到状态寄存器清零。
表4列出了错误的组合。
表4：
SR5
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器错误解码
1
SR4
0
0
1
1
0
0
1
1
SR3
0
1
0
1
0
1
0
1
错误说明
没有错误
V
PP
电压误差
写错误
写错误，V
PP
电压不是在写时有效
擦除错误
擦除错误，V
PP
电压不ERASE确认时有效
命令顺序错误或写/擦除错误
命令顺序错误，V
PP
电压误差，以写入和擦除错误
状态位
注：1 。
SR3 - SR5必须使用清除状态寄存器清零。
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
14
2002年，美光科技公司
