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4Mb
SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY
tional的错误信息被设置在另外三个位： V
PP
状态，写状态和清除状态。
其余6块不要求任一这些
写前两个条件得到满足或擦除操作
系统蒸发散。
命令执行逻辑（ CEL ）
对CEL接收并解释命令到
装置。这些命令控制的操作
ISM和读出的路径（即，存储器阵列， ID寄存器
或状态寄存器） 。命令可能会发给
CEL而ISM处于活动状态。但是，也有限制条
上什么命令系统蒸发散允许在该状态下。
参见更详细的命令执行部。
BOOT BLOCK
硬件保护的引导块提供了额外的
安全性该律师行的最敏感部分
洁具。这16KB的块只能被擦除或写入
当RP ＃引脚为指定的引导块解锁
电压（V
HH
），或者当WP ＃引脚为V
IH
。在一
写或引导块擦除时， RP ＃引脚必须
可以在V举行
HH
或WP ＃引脚保持高电平，直到
擦除或写入完成。在V
PP
引脚必须
V
PPH
（5V）时，引导块被写入或擦除。
该MT28F004B5和MT28F400B5都可用
两种配置和顶部或底部引导块。该
顶部引导块版本支持x86的处理器
品种繁多。底部引导块版本适用于
680X0和RISC应用程序。图1示出了
内存地址映射与这两个ver-相关
sions 。
深度掉电模式
为了实现最大的节能的
MT28F004B5和MT28F400B5配备了非常低的电流
租金，深度掉电模式。要进入此模式下，
RP ＃引脚被送往V
SS
± 0.2V 。在这种模式下，电流
平局是最大20μA的5V V
CC
。进入深
掉电也清除状态寄存器并设置
ISM到读阵列模式。
内存架构
该MT28F004B5和MT28F400B5存储阵列
体系结构被设计成允许部分待擦除
不干扰阵列的其余部分。该阵列是
分成大小不同的7块寻址
并独立地是可擦除的。当块，而
不是整个阵列被删除，器件总endur-
ANCE提高，为的是系统的灵活性。只有
擦除功能是面向块的。所有读和
WRITE操作都在一个随机接入的基础上进行。
引导块是从无意的保护
擦除或写入操作与硬件保护
化电路，需要一个超电压被施加到
RP ＃或擦除之前的WP ＃引脚驱动为高电平
正在展开。引导块是用于芯
需要进行系统的基本功能的固件。该
参数块
这两个8KB参数块存储不太敏感
和更频繁变化的系统参数和
还可以存储配置或诊断编码。
启用了擦除时， V这些块
PP
针
是V
PPH
。无超电压解锁或WP ＃控制
所需。
主内存模块
其余四个块是通用
内存块，并且不需要对一个超电压
RP ＃或WP ＃控制被擦除或写入。这些
块用于代码存储， ROM驻留
需要在-系应用程序或操作系统
TEM更新能力。
4MB的智能5引导块闪存
MT28F004B5_3.fm - 修订版3 ，酒吧。 8/2002
8
2002年，美光科技公司
