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K4N26323AE-GC
下拉电流（mA ）
电压（V）的
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
128M GDDR2 SDRAM
上拉电流（mA ）
最大
-8.7
-4.9
-1.4
1.6
4.3
6.7
8.7
10.4
11.7
12.9
14.0
15.1
16.1
17.1
18.1
19.1
20.1
21.1
22.1
23.1
典型
-7.3
-4.5
-2.0
0.3
2.3
4.1
5.6
6.9
8.0
9.0
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.2
15.2
16.1
16.9
17.8
最低
-5.8
-3.7
-1.9
-0.2
1.2
2.5
3.6
4.6
5.5
6.3
7.0
7.8
8.5
9.3
10.0
10.7
11.4
12.1
12.8
13.6
典型
7.6
5.2
2.9
0.8
-1.1
-2.9
-4.5
-5.9
-7.1
-8.3
-9.4
-10.5
-11.5
-12.5
-13.5
-14.5
-15.5
-16.4
-17.4
-18.3
最低
6.1
4.3
2.7
1.1
-0.3
-1.6
-2.8
-3.9
-4.9
-5.9
-6.8
-7.6
-8.5
-9.3
-10.1
-10.9
-11.7
-12.5
-13.3
-14.1
最大
9.2
6.1
3.2
0.5
-2.1
-4.4
-6.5
-8.3
-9.9
-11.3
-12.6
-13.9
-15.1
-16.3
-17.4
-18.5
-19.7
-20.8
-21.0
-23.0
温（Tj ）
典型
最低
最大
VDD / VDDQ
50
°C
100
°C
0
°C
典型
最低
最大
2.5V
2.4V
2.6V
上述特点在最佳，最差和正常的制程变异/条件规定
- 52 -
修订版1.7 （ 2003年1月）
