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K4N26323AE-GC
60欧姆@ODT关闭
128M GDDR2 SDRAM
1.对于DDR SDRAM器件的典型下拉VI曲线将图一的VI曲线的内部边界线内。
2.在驱动器的下拉电流的60欧姆@ ODT OFF变化，从最小到最大的过程中，温度和电压会说谎
内的外边界线图一的VI曲线的。
16
14
12
最大
IOUT （MA ）
10
8
6
4
2
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
典型
最低
图一：下拉特点酒色
Vout的（V）的
3.对于DDR SDRAM器件的典型的上拉VI曲线将是下图b中的VI曲线的内部边界线内。
4.在驱动器上拉电流的60欧姆@ ODT OFF变化，从最小到最大的过程中，温度和电压会说谎
内Figrue b的VI曲线的外边界线。
0
-2
-4
IOUT （MA ）
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
Minumum
典型
最大
Vout的（V）的
图B ：上拉特点酒色
5. 60欧姆的ODT @断变化的最大最小上拉和下拉电流的比值不超过1.7时，为
设备的漏源电压从0到VDDQ / 2
在标称上拉的比率6. 60欧姆的ODT @关变化到下拉电流应该为1 ±10％ ，对于器件的漏
源极电压从0到VDDQ / 2
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修订版1.7 （ 2003年1月）
