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K4N26323AE-GC
30欧姆的驱动@ODT 120欧姆的修复。
128M GDDR2 SDRAM
1.对于DDR SDRAM器件的典型下拉VI曲线将图一的VI曲线的内部边界线内。
2.在驱动器的下拉电流的30欧姆@ ODT 120欧姆修复变异从最小到最大的过程中，温度和电压
会说谎的外边框线条图一的VI曲线的范围内。
50
40
最大
典型
最低
IOUT （MA ）
30
20
10
0
-10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
图一：下拉特点酒色
Vout的（V）的
3.对于DDR SDRAM器件的典型的上拉VI曲线将是下图b中的VI曲线的内部边界线内。
4. 30欧姆@ ODT 120欧姆修复变异拉从最小到最大的过程中，温度和电压的电流会说谎
内Figrue b的VI曲线的外边界线。
10
0
-10
IOUT （MA ）
-20
Minumum
-30
典型
-40
最大
-50
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
Vout的（V）的
图B ：上拉特点酒色
5.在最大最小上拉和下拉电流的比率的30欧姆的ODT @ 120欧姆修复变异不会超过1.7 ，
对于设备漏极到源极电压从0到VDDQ / 2
6.在标称上拉的比率的30欧姆的ODT @ 120欧姆修复变异到下拉电流应该为1 ±10％ ，对于设备
从0到VDDQ / 2漏极至源极电压
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修订版1.7 （ 2003年1月）
