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K4N26323AE-GC
上电顺序
128M GDDR2 SDRAM
GDDR2 SDRAM芯片必须被加电并以预定的方式初始化，以防止未定义操作。
1.上电顺序
- 应用电源和CKE保持在较低的状态。 （所有其他的输入可以是不确定的）
- VDDQ之前申请VDD 。
- VREF之前应用VDDQ 。
- 启动低频时钟（ 100MHz时），并保持稳定的条件，最低为200us 。
- 的200us的稳定的电源和时钟（CK， / CK ）后的最小，应用NOP和采取CKE变高。
- 为设备（ TS / TH = 0.5tCK ）的所有银行发出预充电命令。
- 第EMRS命令初始化DRAM与DLL关和片上终端OFF（ TS / TH = 0.5tCK ） 。
BA
1
BA
0
A
11
0
1
0
A
10
X
A
9
A
8
X
A
7
A
6
0
A
5
X
A
4
A
3
0
A
2
0
A
1
X
A
0
地址总线
扩展模式
注册
- 第EMRS命令来控制DLL并决定片上终端状态。
内签发EMRS命令为DLL的后100个时钟的，稳定的高频时钟应该被提供给DRAM 。
BA
1
BA
0
A
11
0
1
0
A
10
V
A
9
A
8
V
A
7
A
6
1
A
5
V
A
4
A
3
V
A
2
V
A
1
V
A
0
地址总线
扩展模式
注册
（ V =有效值）
- 额外的1毫秒的时钟周期需要锁定的DLL并发布后，决定片上终端的价值
EMRS命令或从控制器提供稳定的时钟。
DLL锁定保护命令无效时应用NOP 。
- 该设备的所有银行发出预充电命令。
- 第EMRS命令
- 发行至少10个以上的自动刷新命令来更新片上终端的价值。
- 发出一个MRS命令初始化模式寄存器。
- 发出任何命令。
功率高达&初始化顺序
CKE
200美元
< 100tCK
1ms
CK ， CK
低频率。 （ > 100Mhz的）
稳定的高频率。
激进党
激进党
超过tMRD
tRFC
tRFC
4时钟分。
CMD
~
NOP
预充电
所有银行
NOP
EMRS
1
NOP
EMRS
2
NOP
预充电
所有银行
EMRS第一汽车
刷新
10日汽车
刷新
太太
任何
命令
*最小建立时间/保持时间TIS ， tIHmin = 0.5tCK在无DLL的低频
*在100 TCK发行控制器EMRS2 ，锁相环（ DLL ）后，应启用。
*在改变时钟频率，变化的速度应该比在100ps / 30tCK小
- 10 -
修订版1.7 （ 2003年1月）
