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M39432
所有字节必须位于同一页上
地址（A6 -A18必须是相同的所有字节）。
否则，页写操作不
执行。
与单字节写操作，描述
以上时，DQ6和DQ7的线路可以用来
检测的内部开始和结束时
页写周期的控制阶段。
EEPROM模块软件数据保护
软件数据保护（ SDP ）指令
保护免受意外的EEPROM模块
写操作，例如，可能是
失控的公交条件下造成的。
默认情况下， M39432出厂的
无保护状态： EEPROM存储器可
写入正常。在SDP后启用
指令后，设备进入保护模式，
并且还写操作对没有影响
EEPROM中的内容。
该器件仍然在该模式下，直到一个有效的SDP
禁用指令已经被接收。该装置
然后，返回到其未受保护状态。
为了使软件数据保护时，
设备已被写入（在页写时序
条件），有三个具体的数据字节3
特定的存储单元（在各个位置
不同页面） ，如表4和图6所示。
图6表明，有三种方法使用
在SDP-启用指令。首先，如图中
在左侧的流程图，它可以被用作一个三
字节指令集的SDP 。其次，它可以
被用作写入数据的一种方式对EEPROM
即使当SDP的设置。仅当数据要
写得是正确的3字节preceeded
指令，并且所有的字节被写入同
正确的页写时序，将请求是
接受，并采取行动。最后，如果SDP是
目前没有设置，该指令可以被用作一个
是指在执行页写，并设置了
SDP的同时。
要禁用软件数据保护的用户
具有特定数据写入字节分为六个不同的
位置（在页写时序条件）
不同的字节写入不同
页，在图7中，如图所示。
软件数据保护状态保持
在内部的非易失性锁存器（和这样的状态是
在整个上电和断电记忆
事件。访问这个锁，通过SDP
启用和禁用指令，要求相同
发表时间（t
WC
），作为非易失性存储器。
这个写操作可以在被监控
触发位（状态位DQ6 ）和就绪/忙
销，但不能在DQ7 。就绪/忙输出
驱动为低电平，从第一个写字节（第一次写
AAh时，该SDP序列@ 5555H ），直到
内页写操作完成。
写OTP行
写OTP行是由一个指令启用
三个具体的写操作组成，
下页写时序条件，如图
表4.这些指令编写的数据字节
三个特定的内存位置，在每个位置
不同的页面，然后将数据（ 1间
和64个字节），它是要被存储在OTP行中。
这个动作可以仅执行一次。即使是
在第一次写入时写入少于全部64个字节到
对OTP行，没有字节，包括任何
尚未改变时，可以在一个被修改
以后的时间。
当访问的OTP行中，只有至少
显著地址位（A0至A6）进行解码。的
这些， A6必须在0举行。
写EEPROM块标识符
EEPROM的块标识符（ 64字节）可
书写与V单写操作
ID
施加在A9和A6被驱动为低电平，如图
表8 。
编程的FLASH块
在Flash存储器块编程一个字节
使用表4中所示的指令执行。
这是不同的，以将数据写入到EEPROM
块，其中执行作为操作（如
在表3中示出）。类似地，一个指令是
当擦除闪存扇区需要。
该程序指令是三个序列
具体写操作，随后是写
操作带有地址和数据是对
被写入（见表4）。该M39432
自动
开始
和
执行
该
第四写入操作之后进行编程。在
这样一来，闪速存储器块可以是
编程的字节的时间。
Flash存储器块拒绝任何进一步的
说的执行过程中到达的指令
程序指令。在编程期间，
存储器状态可以通过读出被检查
状态位，DQ7 ， DQ6和DQ5 ，如所描述的
第8页。
使用DQ7数据查询。
请
SEE
该
说明第8页。
数据切换使用DQ6 。
请
SEE
该
说明第8页。
闪存块擦除
在写EEPROM模块是一个操作的
触发字节的自动，内部序列
擦除后写入的字节。
Flash存储器块，虽然是不同的。
写入闪存块的第一需要
明确的擦除操作。
该闪存擦除指令不能
寻址到一个字节的时间。擦除只能
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