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M39432
单芯片4兆位闪存和
256 Kbit的EEPROM并行
s
在一个单芯片多回忆：
- 4兆位闪存（组织成8个扇区）
- 256 Kbit的EEPROM
- 64字节的一次性可编程存储器
s
并发模式（读Flash ，而
写入EEPROM）
写，编程和擦除状态位
2.7V至3.6V单电源电压
编程，擦除和读取操作
100 ns的访问时间（ Flash和EEPROM
块）
低功耗
– 60
A
待机模式（最大）
- 深度掉电模式：
6
A
（最大值） ， 200 nA（典型值）
TSOP40 （ NC ）
10 ×20mm的
s
s
s
s
s
s
s
标准闪存封装
100000擦除/写周期（最小）
10年的数据保存（最低）
描述
该M39432是一款单电源电压内存
设备相结合闪存和EEPROM
单个芯片中。该存储器被映射在2
表1.信号名称
A0-A18
DQ0-DQ7
EE
EF
G
W
R / B
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
图1.逻辑图
VCC
19
A0-A18
W
8
DQ0-DQ7
EEPROM模块启用
EE
闪存区块启用
OUTPUT ENABLE
写使能
READY / BUSY输出
电源电压
地
M39432
R / B
EF
G
VSS
AI01946
1999年11月
1/28
