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M39432
图3.闪存区块行业
A18
1
1
1
1
0
0
0
0
AI01362B
A17
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0
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0
A16
1
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0
1
0
1
0
64K字节块
64K字节块
64K字节块
64K字节块
64K字节块
顶部
地址
7FFFFh
6FFFFh
5FFFFh
4FFFFh
3FFFFh
2FFFFh
1FFFFh
0FFFFh
底部
地址
70000h
60000h
50000h
40000h
30000h
20000h
10000h
00000h
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ）
在写操作中，一个数据字节被锁存
到时写使能（ W）器件和一个
芯片使能（ EF或EE ）被拉低。
在读操作时，输出呈现在
这些引脚有效时，输出使能（ G）和
一个芯片使能（ EF或EE ）被拉低。该
输出为高阻抗时，该芯片是
取消选择（包括EE和EF驱动为高电平）或
输出被禁止（G驱动的高点） 。
读操作被用来输出：
- 在闪存块字节
- 在EEPROM块字节
- 制造商标识
- 闪存扇区保护状态
- 闪存块标识符
- EEPROM的标识符
- 在OTP行。
芯片使能（ EE和EF ）
每个芯片使能（ EE或EF ）导致内存
控制逻辑，输入缓冲器，解码器和感
放大器被激活。当EE输入
驱动为高时，EEPROM存储器块是不
选择;当EF输入驱动为高电平时，
闪存的块没有被选中。尝试
访问EEPROM和闪存区块（ EE低
和EF低）是被禁止的。之间的切换
两家芯片使能（ EE和EF ）不能进行
在同一个时钟周期，更大的延迟比
t
EHFL
必须发生。
在M39432是在待机模式时，这两个EF
和EE高（当没有内部擦除或
编程周期运行） 。电源
消耗减少到待机水平和
输出处于高电平状态保持独立
输出使能（ G）或写使能（W ）
输入。
之后150纳秒的不活动，且这些地址时
自动驱动CMOS电平，芯片
进入伪待机模式。动力
消耗减少到CMOS待用
水平，而产出继续驱动总线。
输出使能（ G）
输出使能门通过输出
读操作过程中的数据缓冲区。数据
输出悬空在其高阻抗
状态时，输出使能（G ）为高。
在扇区保护（图8）和部门
撤消（图9）的操作（用于Flash
只有内存块） ，对G输入必须在举行
V
ID
（如表11中指定） 。
写使能（ W）
地址锁存W的下降沿，
和数据输入被锁存的上升沿
W.
就绪/忙（ R / B）
当EEPROM块是一家从事
内部写周期，就绪/忙输出显示
该设备的状态：
- R / B为0时，写周期正在进行中
- R / B为Hi -Z时，没有写周期正在进行中
就绪/忙脚不显示的状态
编程或擦除周期中的闪存。
该引脚可用于显示的状态
EEPROM模块，读取数据，即使（或
从Flash存储器中取出指令）
块。
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