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M39432
方案周期和第六脉冲在W后
行擦除周期。
错误标志（仅限于Flash内存块） DQ5 。
该位被设置为'1'时，有在一个失败
程序，扇区擦除或批量擦除
指令中的闪存块。否则，
位被保持在“0”。
如果一个程序或部门过程中发生错误
擦除指令，该部门中的错误
发生，不能使用了。其他
扇区仍然可以使用，虽然。错误位
一个复位指令后复位。
如果DQ5变过程中任一设置为' 1'的
轮询算法，在图4和图5所示，
DQ7 （ DQ6 ）应以防再次检查它有
与DQ5同时改变。如果DQ7节目
原来的数据位（一个程序周期后），或者如果
DQ7被设置为'1'（一个擦除周期之后），或者如果DQ6
已停止切换，手术成功
并调用例程可以恢复正常
执行。因此建议，作为最后的检查，
该第二读取来执行，并且，该
读值对原始数据进行比较
（在一个写或编程周期的情况下）或针对
值FFH （在擦除周期的情况下） 。如果
比较表明假，这应该被标记为
一个错误。
清除超时位（ DQ3 ） 。
擦除超时
位可被用于标识内部的开始
在一个扇区擦除周期控制器操作。
而扇区地址（周期5在表后
4）正在以较快的速率超过一供给
每80
s
2扇区地址之间的
M39432保持DQ3位为0，这表明
附加扇区仍然可以被添加到列表
扇区将被擦除。一旦内部
控制器开始擦除，擦除定时器置
为'1' 。
字节写（或页写入）的EEPROM
写一个字节，或字节的页面时，向EEPROM
块作为操作进行（见表3）。
这是相对于在编程一个字节
闪速存储器，这是作为一个实施
指令（参见表4）。
字节写在EEPROM块
当EE被拉低开始写操作，
而EF保持高电平时，写使能（ W）是
取低，并且输出使能（G）中保持高电位。
地址锁存W的下降沿或
EE （以先到为准以后） 。
图7. EEPROM SDP-禁用流程图
在寄存器写入AAH
地址5555H
在写55H
地址2AAAh
页写
定时
在写80H
地址5555H
在寄存器写入AAH
地址5555H
在写55H
地址2AAAh
在写20H
地址5555H
无保护状态
后
TWC （写周期）
AI01699C
一旦启动，写入操作继续
根据内部定时，直至完成。这
期间（t
WHRH
）被指定在表16中。
写操作的状态显示在
数据轮询和切换位（如描述的
前一页） ，并在就绪/忙输出
（其驱动为低电平，内部的持续时间
写周期） 。
在EEPROM块页写
页写模式，允许最多64个字节是
在一个单一的去写一个页面上。这是
通过一系列连续的写操作实现
操作，没有两个以上为更分开
比T
WLWL
值（如表16中指定） 。
页写开始的字节写
操作：下面的第一个字节写入指令，
主机可以发送另一地址和数据与
1 /吨：最小数据传输速率
WLWL
。该
内部写周期开始可以在之后的任何时刻
t
WLWL
。一旦启动，写入操作是
内部定时，并持续的，不间断的，
直到完成。
表8.写EEPROM块标识符
EF
V
IH
EE
V
IL
G
V
IH
W
V
IL
A6
V
IL
A9
V
ID
其他数据线
不在乎
DQ0 - DQ7
64个用户自定义的字节
10/28
