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MC-4532CD646
串行PD
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
函数来描述
定义的字节数写入
PD系列内存
串行存储器PD的总字节数
基本内存类型
行数
列数
银行的数量
数据宽度
数据宽度（续）
电压接口
CL = 3周期时间
-A80
-A10
10
CL = 3访问时间
-A80
-A10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
DIMM配置类型
刷新率/类型
SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟
突发长度支持
银行的每个SDRAM的数
支持/ CAS延迟
支持/ CS延迟
/ WE潜伏期支持
SDRAM模块属性
SDRAM器件的属性：一般
CL = 2的时间周期
-A80
-A10
24
CL = 2存取时间
-A80
-A10
25-26
27
t
RP （分钟）
-A80
-A10
28
t
RRD （ MIN 。 ）
-A80
-A10
29
t
RCD （ MIN 。 ）
-A80
-A10
30
t
RAS （分钟）
-A80
-A10
31
模块库密度
（十六进制）
80H
08H
04H
0CH
0AH
02H
40H
00H
01H
80H
A0H
60H
60H
00H
80H
08H
00H
01H
8FH
04H
06H
01H
01H
00H
0EH
A0H
D0H
60H
70H
00H
14H
14H
10H
14H
14H
14H
30H
32H
20H
第7位
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
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1
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1
1
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0
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第6位
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1
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0
1
1
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第5位
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4位
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第3位
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第2位
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第1位
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位0
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0
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0
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0
20纳秒
20纳秒
16纳秒
20纳秒
20纳秒
20纳秒
48纳秒
50纳秒
128M字节
10纳秒
13纳秒
6纳秒
7纳秒
(1/2)
笔记
128字节
256字节
SDRAM
12行
10列
2银行
64位
0
LVTTL
8纳秒
10纳秒
6纳秒
6纳秒
无
正常
×8
无
1时钟
1, 2, 4, 8, F
4银行
2, 3
0
0
10
数据表M13681EJ4V0DS00
