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数据表
MOS集成电路
MC-4532CD646
32M - WORD 64位同步动态RAM模块
无缓冲型
描述
在MC- 4532CD646是33554432字由64比特同步其中16件动态RAM模块
128M SDRAM ：
PD45128841组装。
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
33554432字由64位组织
时钟频率和访问时间从CLK
产品型号
MC-4532CD646EF-A80
MC-4532CD646EF-A10
MC-4532CD646PF-A80
MC-4532CD646PF-A10
/ CAS延时
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
时钟频率
（ MAX 。 ）
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
5
5
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
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供应及其他信息。
一号文件M13681EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期2000年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
