数据表
MOS集成电路
MC-4532CD646
32M - WORD 64位同步动态RAM模块
无缓冲型
描述
在MC- 4532CD646是33554432字由64比特同步其中16件动态RAM模块
128M SDRAM ：
PD45128841组装。
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
安装技术的印刷电路板。
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
特点
33554432字由64位组织
时钟频率和访问时间从CLK
产品型号
MC-4532CD646EF-A80
MC-4532CD646EF-A10
MC-4532CD646PF-A80
MC-4532CD646PF-A10
/ CAS延时
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
时钟频率
（ MAX 。 ）
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
125兆赫
100兆赫
100兆赫
77兆赫
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
5
5
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M13681EJ4V0DS00 （第4版）
发布日期2000年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
MC-4532CD646
订购信息
产品型号
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
MC-4532CD646EF-A80
MC-4532CD646EF-A10
125兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
168针的双列直插式内存模块
（插座式）
边缘连接器：镀金
34.93毫米高度
16件
PD45128841G5 （修订版E）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
16件
PD45128841G5 （修订版P）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
包
安装设备
5
5
MC-4532CD646PF-A80
MC-4532CD646PF-A10
2
数据表M13681EJ4V0DS00
MC-4532CD646
5
引脚配置
168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
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49
50
51
52
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56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
DQ40
DQ8
V
SS
V
SS
DQ41
DQ9
DQ42
DQ10
DQ43
DQ11
DQ44
DQ12
DQ45
DQ13
VCC
VCC
DQ46
DQ14
DQ47
DQ15
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
VCC
VCC
/ WE
/ CAS
DQMB0
DQMB4
DQMB1
DQMB5
/CS0
/CS1
NC
/ RAS
V
SS
V
SS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
BA0 （ A13 ）
BA1 （ A12 ）
A11
VCC
VCC
CLK1
NC
V
SS
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
VCC
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
A0 - A11
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
： SDRAM存储区选择
DQ0 - DQ63
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
/ RAS
/ CAS
/ WE
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
WP
NC
：数据输入/输出
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：地址输入的EEPR M
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
：写保护
：无连接
DQMB0 - DQMB7 ： DQ面膜启用
数据表M13681EJ4V0DS00
3
MC-4532CD646
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过100
s和然后，执行上电顺序和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
16
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.0
0.3
0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+
0.3
+0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
数据输入/输出电容
C
I / O
测试条件
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63
分钟。
58
24
32
17
10
11
典型值。
马克斯。
94
40
52
29
17
19
pF
单位
pF
数据表M13681EJ4V0DS00
5
数据表
MOS集成电路
MC-4532CD646
32M - WORD 64位同步动态RAM模块
无缓冲型
EO
描述
特点
产品型号
MC-4532CD646EF-A80
MC-4532CD646EF-A10
MC-4532CD646PF-A80
MC-4532CD646PF-A10
MC-4532CD646XF-A80
MC-4532CD646XF-A10
在MC- 4532CD646EF ， MC- 4532CD646PF和MC- 4532CD646XF是33554432字由64位同步
该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-
去耦电容安装在电源线上的噪声降低。
动态内存模块上的这16件128M SDRAM ：
PD45128841组装。
安装技术的印刷电路板。
33554432字由64位组织
时钟频率和访问时间从CLK
/ CAS延时
时钟频率
（ MAX 。 ）
从CLK访问时间
（ MAX 。 ）
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
6纳秒
6纳秒
6纳秒
7纳秒
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程/ CAS延迟（ 2,3）
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
所有的DQ有10个
±10
％串联电阻
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
一号文件E0055N10 （第1版）
（上一页第M13681EJ5V0DS00 ）
发布日期2001年1月CP （ K）
日本印刷
L
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
本产品成为了EOL 2004年3月。
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
od
Pr
CL = 3
125兆赫
CL = 2
100兆赫
CL = 3
100兆赫
77兆赫
CL = 2
CL = 3
125兆赫
CL = 2
100兆赫
CL = 3
100兆赫
77兆赫
CL = 2
CL = 3
125兆赫
CL = 2
100兆赫
CL = 3
100兆赫
77兆赫
CL = 2
t
uc
MC-4532CD646
LVTTL兼容
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
168针的双列直插内存模块（引脚间距= 1.27毫米）
无缓冲型
串行PD
订购信息
EO
产品型号
MC-4532CD646EF-A80
MC-4532CD646EF-A10
MC-4532CD646PF-A80
MC-4532CD646PF-A10
MC-4532CD646XF-A80
MC-4532CD646XF-A10
时钟频率
兆赫（ MAX 。 ）
125兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
125兆赫
100兆赫
包
安装设备
16件
PD45128841G5 （修订版E）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
16件
PD45128841G5 （修订版P）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
16件
PD45128841G5 （修订版X）
（10.16毫米（ 400）， TSOP （II） ）
168针的双列直插式内存模块
（插座式）
边缘连接器：镀金
34.93毫米高度
L
od
Pr
t
uc
数据表E0055N10
2
MC-4532CD646
引脚配置
168针的双列直插内存模块插槽类型（边缘连接器：镀金）
/ xxx表示低电平有效的信号。
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
EO
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
DQ40
DQ8
V
SS
V
SS
DQ41
DQ9
DQ42
DQ10
DQ43
DQ11
DQ44
DQ12
DQ45
DQ13
VCC
VCC
DQ46
DQ14
DQ47
DQ15
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
VCC
VCC
/ WE
/ CAS
DQMB0
DQMB4
DQMB1
DQMB5
/CS0
/CS1
NC
/ RAS
V
SS
V
SS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
BA0 （ A13 ）
BA1 （ A12 ）
A11
VCC
VCC
CLK1
NC
V
SS
CKE0
/CS3
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
VCC
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
VCC
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
NC
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
L
od
Pr
A0 - A11
DQ0 - DQ63
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
/ RAS
/ WE
/ CAS
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
NC
WP
数据表E0055N10
：地址输入
[行： A0 - A11 ，色谱柱： A0 - A9 ]
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
： SDRAM存储区选择
：数据输入/输出
：时钟输入
：时钟使能输入
：片选输入
：行地址选通
：写使能
：列地址选通
DQMB0 - DQMB7 ： DQ面膜启用
t
uc
：地址输入用于EEPROM
：串行数据的I / O PD
：时钟输入的PD
：电源
：地面
：写保护
：无连接
3
MC-4532CD646
电气规格
所有电压都参考V
SS
（GND）。
上电后，等待超过100
s和然后，执行上电顺序和CBR （自动）之前，适当的刷新
实现设备的操作。
绝对最大额定值
参数
在电源引脚相对于GND电压
在相对于GND引脚的输入电压
短路输出电流
功耗
符号
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
英镑
条件
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
50
16
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
EO
储存温度
工作环境温度
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+
0.3
+0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容（T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
数据输入/输出电容
L
od
Pr
2.0
0.3
0
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I / O
测试条件
分钟。
56
A0 - A11 ， BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ）
/ RAS ， / CAS ， / WE
CLK0 - CLK3
CKE0 ， CKE1
/ CS0 - / CS3
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63
20
28
15
5
7
数据表E0055N10
典型值。
马克斯。
94
40
52
29
单位
pF
t
uc
17
19
pF
5
QQ：2880707522 复制
