飞利浦半导体
BUK9Y19-55B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03na19
50
ID
(A)
40
03nl99
30
20
40
10
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
TMB （
°
C)
200
P
DER
P
合计
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03nm00
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10
s
100
s
10
1毫秒
DC
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 13188
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产品数据
版本01 - 2004年5月28日
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