飞利浦半导体
BUK9Y19-55B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
60
ID
(A)
40
03np27
5
VGS
(V)
4
03np14
VDD = 14 V
VDD = 44 V
3
TJ = 175
°
C
20
TJ = 25
°
C
2
1
0
0
1
2
3
VGS （ V）
4
0
0
5
10
15
QG （ NC ）
20
V
DS
= 25 V
T
j
= 25
°C;
I
D
= 25 A
图13.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值。
100
IS
(A)
75
03np13
102
IAV
(A)
03np79
单次
TJ = 25
°
C
TJ = 175
°
C
50
TJ = 25
°
C
10
单次
TJ = 150
°
C
25
重复
0
0.0
0.3
0.6
0.9
VSD （V）的
1.2
1
10-3
10-2
10-1
1
TAV （毫秒）
10
V
GS
= 0 V
SEE
表注[ 1 ]
to
表3 “极限参数”
图15.来源（二极管的正向）的电流的一个函数
源极 - 漏极（二极管的正向）电压;典型
值。
图16.单次和重复雪崩额定值。
雪崩电流雪崩的函数
期。
9397 750 13188
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年5月28日
8 12
