飞利浦半导体
BUK9Y19-55B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
BUK9Y19-55B
LFPAK
描述
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本LFPAK ） ; 4
LEADS
VERSION
SOT669
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 40 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
55
55
±15
40
28
160
75
+175
+175
40
160
91
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
E
DS （ AL ）R
重复的漏源雪崩
能源
[1]
最大值没有报价。重复评价德网络中定义
图16 。
单次雪崩额定值限制T
J（下最大）
175
°C.
重复雪崩额定值限制T
J（下AVG）
170
°C.
请参阅
http://www.semiconductors.philips.com/acrobat/applicationnotes/AN10273_1.pdf
了解更多信息。
-
[1]
-
9397 750 13188
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年5月28日
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