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EBE51UD8ABFA
引脚功能
CK ， / CK （输入引脚）
在CK和/ CK是主时钟输入。除了DMS， DQSS和DQS所有输入被称为交叉
点在CK的上升沿和VREF电平的。当进行读操作， DQSS和的DQ被称为交叉
点的CK和/ CK的。当一个写操作中，模式草案和的DQ被称为DQS的的交叉点和
VREF的水平。 DQSS对于写操作被称为的CK和/ CK的交叉点。
/ CS （输入引脚）
当/ CS为低时，命令和数据可被输入。当/ CS为高电平时，所有的输入将被忽略。然而，内部
操作（存储体激活，突发操作等）被保持。
/ RAS ， / CAS ，和/ WE （输入引脚）
这些引脚定义操作的命令（读，写等），这取决于它们的电压电平的组合。
见"Command operation" 。
A0到A13 （输入引脚）
行地址（ AX0到AX13 ）由A0在CK的上升沿和所述的交叉点确定为A13的电平
在银行主动指令周期VREF水平。列地址（ AY0到AY9 ）经由A 0加载到A9的
交叉点时的CK上升沿和在读或写命令周期与VREF电平的。这列地址
成为一个脉冲串操作的起始地址。
A10 （ AP） （输入引脚）
A10定义了一个预充电命令，读命令或写命令被发出时，在预充电模式。如果
A10 =高发出预充电命令时，所有银行都预充电。如果A10 =低时，预充电
命令发出后，只有被选中BA1 ，银行， BA0预充电。如果A10 =高时，读或写
命令，自动预充电功能。而A10 =低，自动预充电功能。
BA0和BA1 （输入引脚）
BA0 ， BA1是银行选择信号（ BA ） 。所述存储器阵列被划分为存储体0 ，存储体1 ，组2和组3 （见
银行选择信号表）
[银行选择信号表]
BA0
BANK 0
银行1
2银行
3银行
L
H
L
H
BA1
L
L
H
H
注： H： VIH 。 L： VIL 。
CKE （输入引脚）
CKE控制关机和自刷新。掉电和自刷新命令被输入时
CKE被拉低，退出它恢复到高的时候。
所述CKE电平必须保持为1 CK周期至少，也就是说，如果CKE改变在CK的上升沿的交叉点
并与适当的设置时间TIS的VREF水平，在接下来的CK上升沿CKE水平必须保持适当的保持
时间TIH 。
DQ （输入和输出引脚）
数据被输入到与输出从这些引脚。
DQS和/ DQS （输入和输出引脚）
DQS和/ DQS提供所读取的数据选通信号（作为输出）和写数据选通信号（作为输入的） 。
数据表E0357E50 （版本5.0 ）
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