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EBE51UD8ABFA
ODT AC电气特性（ DDR2 SDRAM组件规格）
参数
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（省电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
ODT关闭（省电模式）
ODT断电进入潜伏期
ODT掉电退出延时
符号
tAOND
tAON
tAONPD
tAOFD
tAOF
tAOFPD
tANPD
tAXPD
分钟。
2
TAC （分钟）
TAC （分钟）
+
2000
2.5
TAC （分钟）
TAC （分钟）
+
2000
3
8
马克斯。
2
TAC （最大）
+
1000
2tCK
+
TAC （最大）
+
1000
2.5
TAC （最大）
+
600
2.5tCK
+
TAC （最大）
+
1000
3
8
单位
TCK
ps
ps
TCK
ps
ps
TCK
TCK
2
1
笔记
注：1. ODT开启时间min是当设备离开高阻抗和ODT电阻将开始导通。
ODT开启时间最多是当ODT电阻是完全的。无论是从tAOND测量。
2. ODT关闭时间（min）是在设备启动时，关闭的ODT电阻。
ODT关闭时间最多是在总线处于高阻态。无论是从tAOFD测量。
AC输入测试条件
参数
输入参考电压
输入信号的最大峰 - 峰摆幅
输入信号的最大转换速率
符号
VREF
VSWING （最大）
SLEW
价值
0.5
×
VDDQ
1.0
1.0
单位
V
V
V / ns的
笔记
1
1
2, 3
注：1.输入波形的定时为基准，以施加到通过与VREF电平的输入信号交叉
被测设备。
2.输入信号的最小压摆率要保持在范围从VIL （DC） （最大值）为VIH （AC）的
（分）为上升沿和从VIH （DC）的范围（最小值）为VIL （AC） （最大）为如图下降沿
如下图。
3. AC时序与正输入波形从VIL （ AC ）转换到VIH （ AC）引用
变和在负跳变的VIH （AC）到VIL （AC） 。
启动下降沿输入时序
启动上升沿输入时序
VDDQ
VIH （AC） （分）
VIH （DC） （分）
VSWING （最大）
VREF
VIL （DC） （最大）
VIL （AC） （最大）
ΔTF
ΔTR
瑞星杀=
VSS
VIH （ AC）分钟。
VIL （DC） （最大）
ΔTR
落摆=
VIH （DC） （分）
VIL （AC） （最大）
ΔTF
AC输入测试信号波形
测量点
DQ
RT = 25
VTT
输出负载
数据表E0357E50 （版本5.0 ）
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