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EBE51UD8ABFA
ODT DC电气特性（ TC = 0至+ 85°C ， VDD和VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
°
（ DDR2 SDRAM组件规格）
参数
RTT的EMRS （ A6 ， A2）的有效阻抗值
=
0, 1; 75
RTT的EMRS （ A6 ， A2）的有效阻抗值
=
1, 0; 150
VM的偏差相对于VDDQ / 2
符号
Rtt1(eff)
Rtt2(eff)
'vm
分钟。
60
120
3.75
典型值。
75
150
马克斯。
90
180
+3.75
单位
%
笔记
1
1
1
注： RTT测量1.测试条件。
对于RTT测量定义（ EFF ）
应用VIH （ AC）和VIL （ AC）分别测试引脚，然后分别为I（ VIH （ AC） ）和I（ VIL （ AC ） ）测量电流。
在SSTL_18定义的VIH（ AC）和VDDQ的值。
RTT （ EFF ） =
VIH （AC）的
VIL （AC）的
我（VIH （AC） ）
我（ VIL （ AC ） ）
测量定义为
VM
测量电压（ VM）在测试引脚（中点）无负载。
'vm
=
2
×
VM
VDDQ
1
×
100%
OCD默认特性（ TC = 0至+ 85°C ， VDD ， VDDQ = 1.8V
±
0.1V)
°
（ DDR2 SDRAM组件规格）
参数
输出阻抗
上拉和下拉不匹配
输出压摆率
分钟。
12.6
0
1.5
典型值。
18
马克斯。
23.4
4
4.5
单位
V / ns的
笔记
1
1, 2
3, 4
注：输出源的直流电流1.阻抗测量条件： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 1420mV ;
（ VOUT - VDDQ ） / IOH必须大于23.4Ω少了VOUT的VDDQ和VDDQ - 280MV之间的值。
输出阻抗测量条件下沉直流电流： VDDQ = 1.7V ; VOUT = 280MV ;
VOUT / IOL必须为VOUT的0V和280MV之间的值小于23.4Ω 。
2.不匹配是拉和下拉的绝对值，无论是在相同的温度测量
电压。
3.压摆率从VIL （ AC）测量到VIH （ AC） 。
4.摆率作为从直流测量到直流的绝对值等于或大于所述压摆率
从AC测量交流。这是通过设计和特性保证。
引脚电容（ TA = 25℃ ， VDD = 1.8V ± 0.1V ）
（ DDR2 SDRAM组件规格）
参数
输入电容
输入电容
数据和DQS的输入/输出
电容
符号
CI1
CI2
CO
引脚
地址， / RAS ， / CAS ，
/ WE ， / CS ， CKE ， ODT
CK ， / CK
DQ ， DQS ， / DQS ， DM
马克斯。
1
1
3
分钟。
2
2
4
单位
pF
pF
pF
记
数据表E0357E50 （版本5.0 ）
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