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STK12C68-M
写
因为最近的操作已发生
商店
周期。需要注意的是，如果HSB通过外部驱动为低电平
电路和无
写
s已经发生，该部分
还是被禁用，直到HSB被允许返回
高
.
软件启动
商店
周期进行考虑以下各项
少的是否进行了
写
操作已
的地方。
存取周期时间比55ns更长。
图2
下面
显示我的关系
CC
和访问时间
为
读
周期。所有剩余的输入假设
循环，并且当前功耗是针对所有输入在
CMOS
或TTL电平。
科幻gure 3
示相同的关系
船
写
周期。当E是
高
中，芯片
仅消耗待机电流，而这些地块做
不适用。
中所用的周期时间
图2
对应于
的时间，从最后地址跃迁的后面长度
化或E去
低
到E的早期会
高
或
下一个地址转换。 W被假定为
高
,
同时，克州无所谓。额外的电流
当地址线改变状态被消耗
而E的断言。中所用的周期时间
科幻gure 3
对应的时间长度从W的后面或
会
低
以W的或E会更早
高
.
通过该部分得出的总平均电流取决于
对以下项目： 1 ）
CMOS
或TTL电平输入; 2 ）
在此期间，该芯片被禁止时（E
高
); 3)
用于访问循环时间（E
低
） ; 4 ）的比率
读取到写入; 5）操作温度; 6）
V
CC
水平;和图7 ）的输出负载。
防止自动STORES
该
自动存储
功能可以在由飞被禁用
控股HSB
高
有能力采购的司机
15毫安在至少2.2V ，因为它会得的VOH
制服驱动内部下拉器件
HSB低时为50ns的发病
自动存储 。
当STK12C68 -M的连接为
自动存储操作
（系统V
CC
连接到V
CCx中
和伏100uF的电容
帽
）和V
CC
十字架
V
开关
下来的方式， STK12C68将尝试
拉HSB
低
;如果HSB实际上并没有得到低于V
IL
,
该部分将停止试图拉HSB
低
和中止
自动存储尝试。
较低的平均有功功率
该STK12C68 -M被设计为绘制显
着更少的功率时， E为
低
（芯片使能），但
V
帽
1
28
26
V
CCx中
动力
供应
100
平均工作电流（毫安）
100
平均工作电流（毫安）
HSB
10K欧姆
（可选）
80
80
100uF
± 20%
+
60
40
TTL
20
CMOS
0
50
100
150
200
周期时间（纳秒）
60
40
20
0
50
100
150
200
周期时间（纳秒）
0.1uF
绕行
NVSRAM
TTL
CMOS
V
SS
14
图1
原理图
图2
I
CC
（最大值）读取
注意：典型的在25℃下
科幻gure 3
I
CC
（最大值）写入
4-61
