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STK12C68-M
非易失性存储器的操作
模式选择
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
HSB
H
H
H
H
A
12
- A
0
（十六进制）
X
X
X
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0F
L
H
H
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
X
X
L
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出高Z
I
CC2
/待机
活跃
动力
待机
活跃
活跃
活跃
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
m
l
笔记
STORE /禁止
注K：这六个连续的地址必须按顺序列出 - （ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 0F0F ）一
商店
周期或（ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ，
0F0E ）为一
召回
周期。 W必须在所有六个连续的周期高点。看
商店
周期
召回
周期表和图表以了解详情。
注L： I / O状态假设使得G
≤
V
IL
。非易失性的周期激活不依赖于G的状态
注M： HSB启动
商店
操作实际上仅发生如果一个写了自去年完成
商店
操作。后
商店
（如果有的话）完成后，将
部分将进入待机模式禁止所有操作，直到HSB上升。
五金
商店
/ RECALL
符号
号
22
23
24
25
26
t
召回
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
断言
V
开关
I
HSB_OL
I
HSB_OH
注E：
注N：
注○：
t
HLHH
t
HLQZ
t
HHQX
t
HLHX
参数
民
最大
20
10
1
300
250
4.0
3
5
60
4.5
单位
s
ms
s
ns
ns
V
mA
A
HSB = V
OL
，注意E，N
HSB = V
IL
，注意E，N
附注e
附注e
笔记
注
V
CC
≥
4.5V
召回
循环时间
商店
循环时间
HSB低，以抑制在
HSB高抑制关
外
商店
脉冲宽度
低电压触发电平
HSB输出低电流
HSB高输出电流
保证这些参数，未经测试。
HSB是I / O具有内部弱上拉;它基本上是一个开漏输出。它的目的是允许多达32个STK12C68质谱被组合在一起为
同时存储。不要使用HSB上拉至任何外部电路比其他STK12C68 -M HSB引脚等。
召回周期在上电时自动启动V
CC
超过V
开关
. t
召回
从该点处测量其V
CC
超过4.5V 。
五金
商店
/ RECALL
V
开关
V
帽
26
t
断言
24
t
延迟
HSB
W
22
t
召回
24
t
延迟
25
t
恢复
召回
商店
SRAM
抑制
上电RECALL
欠压RECALL
23
t
商店
23
t
商店
23
t
商店
掉电商店
HSB开始的存储
软件商店
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