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STK12C68-M
EEPROM
细胞。非易失性数据可被调用的
的次数不受限制。
自动召回
在上电期间或之后任何低功率条件
(V
帽
＆ LT ; V
开关
） ，当V
帽
超感
V的电压
开关
, a
召回
循环会自动
发起。这种自动开始后
重
通话
如果V
帽
低于V
开关
，然后又
重
通话
操作将被执行每当V
帽
再次上升超过V
开关
.
如果STK12C68 - M是一个在写状态时的端
上电
回想一下，
SRAM中的数据将被破坏。
为了避免这种情况，一个10K欧姆的电阻应
连接W和系统V之间
CC
.
连接在一起。每个芯片都包含一个小间
最终电流源拉HSB
高
当它不存在
驱动为低电平。为了减少这种信号的灵敏度，以
在印刷电路板上产生的噪声，它可任选地
拉至V
CCx中
通过一个外部电阻，其值
使得电阻器的组合的负载和所有
并联连接的芯片不超过我
HSB_OL
at
V
OL
。不要连接或任何其他的上拉至
V
帽
节点。
如果HSB是将要连接到外部电路比其它
其他STK12C68 -女士，外部上拉电阻应
被使用。
在任何
商店
操作时，不管如何是
启动的，则STK12C68 - M将继续推动
HSB引脚为低电平，释放它，只有当
商店
is
完整的。当一个完成
商店
操作中，
部分将被禁用，直到HSB实际上去
高
.
硬件保护
该STK12C68 - M提供了硬件防护
对开关
商店
在低电压操作
条件。当V
帽
＆ LT ; V
开关，
所有的外部
开始
商店
操作将被禁止。
自动
商店
手术
在正常操作中， STK12C68 - M将绘制
从V电流
CCx中
以充电连接的电容器
于V
帽
引脚。此存储的电荷将被使用的
芯片执行单
商店
操作。上电后
起来，当在V的电压
帽
引脚低于
V
开关
，该部分将自动断开
V
帽
引脚从V
CCx中
并启动
商店
操作。
HSB操作
五金店忙脚（ HSB ）是一个开漏
电路充当输入和输出执行两个
不同的功能。当由内部驱动为低
片内电路则表明
商店
操作（ initi-
通过任何手段ated ）是在芯片内的进展。
当比长拉低外部电路
t
断言
，该芯片将有条件地启动
商店
吨后操作
延迟
.
读
和
写
操作正在进行中时，
HSB驱动为低电平（无论是内部或外部税务局局长
cuitry ）将被允许前完成
商店
进行操作时，以下面的方式。后
HSB变为低电平时，器件将继续正常
SRAM
对于T运营
延迟
。在t
延迟
，在过渡
任何地址或控制信号将终止
SRAM
操作和使
商店
开始。记
如果一个
SRAM
写尝试后HSB已
强制低，不会产生和写的
商店
操作将立即开始。
五金店 - 占线（ HSB ）是一种高速，低驱动
能力的双向控制线。为了允许一个
STK12C68 -女士的银行进行同步
商店
功能，从多个芯片中的HSB销可
图1
显示电容器的正确连接
自动存储操作。的电荷存储电容
器应当具有的容量至少100μF （ ±20％）的
6V 。每个STK12C68 -M必须有自己的100μF
电容。每个STK12C68 -M
必须
具有高
0.1μF的品质，高频旁路电容
连接V之间
帽
和V
SS
用导线和
迹线是尽可能地短。
如果
自动存储
功能不是必需的，则V
帽
应直接连接到电源和V
CCx中
应接地。在这种模式下，
商店
操作
系统蒸发散可通过软件控制或触发
HSB引脚。在任一情况下，V
帽
（引脚1）
必须
总是
有一个适当的旁路电容器连接到它。
为了防止不必要的
商店
操作，自动
MATIC
商店
以及那些由外部发起
驾驶HSB
低
将被忽略，除非至少有一个
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