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HYS72D[128/64/32]5[00/20/21]GR–[7F/7/8]-B
注册的DDR SDRAM模块
电气特性
3
3.1
表6
参数
电气特性
工作条件
绝对最大额定值
符号
值
分钟。
马克斯。
3.6
3.6
+150
1
50
V
V
o
单位
输入输出电压相对于/
V
SS
电源电压上
V
DD
/
V
DDQ
to
V
SS
存储温度范围
功耗（每SDRAM组件）
数据输出电流（短路）
V
IN，
V
OUT
V
DD,
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
–0.5
–0.5
–55
–
–
C
W
mA
注意：如果“绝对最大额定值”，超出可能会造成永久性损坏设备。实用
操作应仅限于推荐的操作条件。暴露于高于
推荐电压的时间会影响器件的可靠性长时间
表7
参数
器件的电源电压
输出电源电压
输入参考电压
终止电压
EEPROM的电源电压
注意：
1.在任何条件下，
V
DDQ
必须小于或等于
V
DD
2.峰值到峰值AC噪声对
V
REF
可能不超过±2％
V
REF （ DC ）
.
V
REF
也有望在跟踪噪声的变化
V
DDQ
.
3.
V
TT
的发射设备必须跟踪
V
REF
所述接收装置的
.
表8
参数
DC输入逻辑高
DC输入逻辑低
输入漏电流
输出漏电流
注意：
1之间的关系
V
DDQ
所述驱动装置与所述的
V
REF
该接收装置的是什么决定
噪声容限。然而，在该情况下
V
IH （ MAX 。 ）
（输入过驱动）时，它是
V
DDQ
该接收装置是
引用。在该情况下，一个装置被实现为使得其支持SSTL_2输入，但没有SSTL_2
因此，输出（如翻译） ，并没有
V
DDQ
电源电压的连接，输入必须忍受输入
超速至3.0 V（高角落
V
DDQ
+ 300毫伏） 。
2.在0 V测试输入引脚
≤
V
IN
≤
V
DDQ
+ 0.3 V值是每DDR -SDRAM组件显示
数据表
14
牧师1.03 2004-01
DC操作条件（ SSTL_2输入）
(
V
DDQ
= 2.5 V,
T
A
= 70
°C,
电压参考
V
SS
)
电源电压电平
符号
值
分钟。
喃。
2.5
2.5
0.5
×
V
DDQ
马克斯。
2.7
2.7
0.51
×
V
DDQ
2.3
2.3
0.49
×
V
DDQ
单位/
笔记
V
V 1)
V 2)
V 3)
V
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
DDSPD
V
REF
– 0.04
2.3
V
REF
2.5
V
REF
+ 0.04
3.6
符号
值
分钟。
马克斯。
单位/
笔记
V 1)
V
IH ， （DC）的
V
白细胞介素， （DC）的
I
IL
I
OL
V
REF
+0.15
–0.30
–5
–5
V
DDQ
+0.3
V
REF
–
0.15
5
5
V
A
1)
A
2)
