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在引导过程中，在EBI必须与标准的等待状态正确号码来配置。如
例如，五个标准等待状态时，单片机在运行需
66兆赫。
用户必须确保所有VDDIO ， VDDCORE所有GND引脚连接到
各自的电源通过最短的路线。该闪存的权力，在读
模式。命令序列，用来放置设备等运行模式，
如编程和擦除。
一个单独的闪存存储器的复位输入引脚（ NRSTF ）提供了最大的灵活性，
使重置操作以适应应用。当该输入是在逻辑高
电平，存储器处于其标准操作模式;在此输入一个低电平停止的
当前存储器的操作，并把它的输出端处于高阻抗状态。
Flash存储器的特性数据轮询检测程序循环的结束。而
项目周期正在进行中，写的最后一个字的读企图将返回
补上的I / O7写入数据。漏极开路NBUSY输出引脚提供
一种检测方案或擦除周期结束的另一种方法。该引脚被拉低
而编程和擦除周期正在进行中，并释放在完成的
周期。肘节位功能提供一种检测方案的端部的第三装置或
擦除周期。
闪存存储器被划分成4个区进行擦除操作。
该设备具有保护存储在8K字引导块的扇区数据的能力。
一旦该扇区的数据保护已启用，该部门的数据不能
同时改变输入电平地面和V之间的谎言
DDIO
。靴子的地址范围
块是00000H到01FFFH
用户可以通过施加12伏的输入信号覆盖引导块编程闭锁
到RESET引脚在执行芯片擦除，扇区擦除或编程字
操作。
一个4字节的命令序列（输入单脉冲编程模式）允许器件
直接写入，使用单个脉冲的写控制线。此模式（单
脉冲编程）由设备断电或通过脉冲NRSTF销退出
低在一段时间内
(1)
然后把它放回至V
DDIO
.
以下硬件特性能够防止对Flash编程疏忽
内存：
V
DDIO
感 - 如果V
DDIO
低于一定水平
(1)
时，程序的功能被禁止。
V
DDIO
上电延时 - 一旦V
DDIO
已达到在V
DDIO
感知水平，该装置
会自动超时在一段时间内
(1)
前编程。
禁止编程 - 控股OE低， CE高任一个或WE高抑制方案
周期。
噪声滤波器 - 少脉冲超过一定时间
(1)
在WE或CE输入将不会
启动一个程序循环。
看到AT49BV4096A 4兆位（ 256K ×16 / 512K ×8 ）单2.7伏的快闪记忆体
数据表上的Flash操作和电气特性的进一步细节。
注意：
1.定义在AT49BV4096A闪存数据表，爱特梅尔点燃° 1618 。
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AT91FR4042
2648D–ATARM–03/04
