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K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
NAND闪存技术说明
（续）
擦除流程图
开始
写60H
写块地址
写D0H
读状态寄存器
阅读流程图
开始
写00H
写地址
读数据
ECC代
I / O 6 = 1 ？
或R / B = 1 ？
是的
No
I / O 0 = 0 ？
是的
删除完成
No
收回错误
No
ECC校验
是的
页面读取完成
*
擦除错误
*
：如果在错误擦除操作的结果，绘制出
发生故障的块，并与另一个块代替它。
替换块
1st
(n-1)th
第n
（页）
{
{
A座
2
发生错误。
缓冲存储器控制器。
B座
1
1st
(n-1)th
第n
（页）
*第一步
擦除或写入操作期间，在块“的第n页错误时发生的情况。
A’
*第二步
在缓冲存储器中复制的块“的第n个页面的数据到另一个空闲块的第n个页面。 （块“ ）
A’
B’
*第三步：
然后， （ n-1个）个页中的第一的数据复制到该块“的相同的位置。
B’
*步骤4
不要再擦除块“通过创建一个”
A’
无效Block'table或其他适当的方式。
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