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K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
最大
2048
单位
块
有效的块
参数
有效的块数
符号
N
VB
民
2013
典型值。
-
记
:
1。
K9F56XXX0C
可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。有效数
块呈现视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块
.
不要删除
或程序工厂标记为坏块。参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2. 1号地块，这是摆在00H块地址，是完全有保证是一个有效的块，不需要纠错。
3.
最低1004块有效，保证每个连续的128MB显存空间。
AC测试条件
（ K9F56XXX0C - XCB0 ： TA = 0 70 ° C， K9F56XXX0C - XIB0 ： TA = -40 85°C
K9F56XXQ0C ： VCC = 1.70V 1.95V ， K9F56XXU0C ： VCC = 2.7V 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
K9F56XXQ0C ：输出负载（ VCCQ ： 1.8V +/- 10 ％ ）
K9F56XXU0C ：输出负载（ VCCQ ： 3.0V +/- 10 ％ ）
K9F56XXU0C ：输出负载（ VCCQ ： 3.3V +/- 10 ％ ）
K9F56XXQ0C
0V至VCCQ
5ns
VccQ/2
1 TTL门和CL = 30pF的
-
K9F56XXU0C
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
1 TTL门和CL = 50pF的
1 TTL门和CL = 100pF电容
电容
(
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 1.8V / 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
X
L
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
X
L
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
X
L
X
X
X
H
H
X
H
X
X
X
X
H
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
PRE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
WP
X
X
H
H
H
X
X
X
H
H
L
数据输入
数据输出
在读（忙）上K9F5608U0C_Y ， P或K9F5608U0C_V ，女
在读（忙）上，除了K9F5608U0C_Y ， P和设备
K9F5608U0C_V,F
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
写模式
读取模式
模式
命令输入
地址输入（ 3clock ）
命令输入
地址输入（ 3clock ）
0V/V
CC
(2)
0V/V
CC
(2)
待用
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
编程/擦除特性
参数
节目时间
假忙时间锁或锁紧座
局部程序周期数量
在同一个页面
块擦除时间
主阵列
备用阵列
符号
t
PROG
t
LBSY
NOP
t
别尔斯
民
-
-
-
-
-
典型值
200
5
-
-
2
最大
500
10
2
3
3
单位
s
s
周期
周期
ms
11
