K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616X0C的指针操作（ X16 ）
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
三星NAND闪存具有两个地址指针命令来代替最显著列地址。 “
00h’command
将指针设置为'区域（0 255word ） ，和'
A’
50H '命令将指针设置为“区域（ 256 263word ） 。这些命令中，
B’
起始列地址可设置为任何一整页（0 263word ）的。 “
00h'or “
50h'is持续，直到另一个地址指针的COM
命令输入。编程数据“或”区域的开始， “
A’
B’
00H “或”
50H '命令之前必须输入“
80H “命令
写的。一个完整的读操作之前“
80h'command是没有必要的。
"A"区
（ 00H平面）
"B"区
（ 50H平面）
8字
表3目标指示器的
命令
00h
50h
指针的位置
0 255字
256 263字
区域
主阵列（ A）
备用阵列（ B）
256字
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
国内
页寄存器
指针选择
命令
(00h, 50h)
指针
指针操作图5.框图
（ 1）编程命令输入序列“区域
A’
地址指针设置为'区域（0 255） ，并且持续
A’
地址/数据输入
00h
80h
10h
00h
80h
地址/数据输入
10h
'，'区域可被编程。
A' B'
它取决于有多少数据被输入。
’
00h'command可以省略。
（ 2）编程命令输入序列“区域
B’
地址指针设置为'区域（256 263 ） ，和持续
B’
地址/数据输入
50h
80h
10h
50h
80h
地址/数据输入
10h
只有'区可以被编程。
B’
’
50h'command可以省略。
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