NTD110N02R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
毫安）
正温度系数
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V)
基本特征
（注3）
栅极阈值电压（注3 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
毫安）
负阈值温度系数
静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）
(V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A)
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 55 A)
(V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A)
(V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A)
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 15 A） （注3 ）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
4 = 5 V I
D
= 40 A
4.5 V,
A,
V
DS
= 10V ）（注3）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 A，V
GS
= 0V） （注3）
(I
S
= 55 A，V
GS
= 0 V)
(I
S
= 20 A，V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C)
(I
S
= 30 A，V
GS
= 0 V,
A
V
dI
S
/ DT = 100 A / MS）（注3 ）
反向恢复电荷存储
V
SD
0.82
0.99
0.65
36.5
30
25
0.048
mC
1.2
V
(V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 40 A，R
G
= 3.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
GS
Q
DS
11
39
27
21
23.6
5.1
11
22
80
40
40
28
nC
ns
(V
DS
= 20 V V
GS
= 0 V,
V,
V
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2710
1105
450
3440
1670
640
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
4.1
5.5
3.9
5.5
g
FS
44
1.5
5.0
2.0
毫伏/°C的
mW
V
V
（ BR ） DSS
24
I
DSS
1.5
10
I
GSS
±100
nA
28
15
V
毫伏/°C的
mA
符号
民
典型值
最大
单位
4.6
6.2
姆欧
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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