NTD110N02R
功率MOSFET
24 V ， 110 A， N沟道DPAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
C
= 25°C,
不限按包
- 连续@ T
A
= 25°C,
线面有限
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
热阻
- 结到环境（注1 ）
- 总功率耗散@ T
A
= 25°C
- 漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻
- 结到环境（注2 ）
- 总功率耗散@ T
A
= 25°C
- 漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
= 15.5 APK ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
±20
1.35
110
110
110
32
110
52
2.88
17.5
100
1.5
12.5
-55
175
120
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
mJ
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
4.1毫瓦@ 10 V
I
D
最大
110 A
N沟道
D
G
S
4
4
1 2
3
CASE 369AA
DPAK
（表面贴装）
方式2
1
2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
T
110N2
4
漏
YWW
T
110N2
1 2 3
门漏源
=年
=工作周
=器件代码
出版订单号：
NTD110N02R/D
T
L
260
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用0.5平方漏极焊盘尺寸的FR4板。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
2
1
3
漏
门
来源
Y
WW
T110N2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版6
NTD110N02R
175
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10 V
8V
6V
210
5V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
180
150
120
90
60
30
0
10
0
2
T
J
= 55°C
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
V
DS
≥
10 V
3V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ Ω ）
图2.传输特性
0.03
I
D
= 110 A
T
J
= 25°C
0.02
0.014
T
J
= 25°C
0.012
0.01
0.008
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220 240
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V
100,000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10,000
T
J
= 175°C
1000
100
T
J
= 100°C
10
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5.0
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD110N02R
功率MOSFET
24 V ， 110 A， N沟道DPAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
C
= 25°C,
不限按包
- 连续@ T
A
= 25°C,
线面有限
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
热阻
- 结到环境（注1 ）
- 总功率耗散@ T
A
= 25°C
- 漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热阻
- 结到环境（注2 ）
- 总功率耗散@ T
A
= 25°C
- 漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
= 15.5 APK ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
±20
1.35
110
110
110
32
110
52
2.88
17.5
100
1.5
12.5
-55
175
120
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
mJ
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
4.1毫瓦@ 10 V
I
D
最大
110 A
N沟道
D
G
S
4
4
1 2
3
CASE 369AA
DPAK
（表面贴装）
方式2
1
2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
T
110N2
4
漏
YWW
T
110N2
1 2 3
门漏源
=年
=工作周
=器件代码
出版订单号：
NTD110N02R/D
T
L
260
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用0.5平方漏极焊盘尺寸的FR4板。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
2
1
3
漏
门
来源
Y
WW
T110N2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 修订版6
NTD110N02R
175
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10 V
8V
6V
210
5V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
180
150
120
90
60
30
0
10
0
2
T
J
= 55°C
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
V
DS
≥
10 V
3V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ Ω ）
图2.传输特性
0.03
I
D
= 110 A
T
J
= 25°C
0.02
0.014
T
J
= 25°C
0.012
0.01
0.008
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220 240
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V
100,000
V
GS
= 0 V
I
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，漏电（ NA）
10,000
T
J
= 175°C
1000
100
T
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10
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，结温（ ° C）
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，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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