NTD110N02R
175
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
150
125
100
75
50
25
0
0
2
4
6
8
10 V
8V
6V
210
5V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
180
150
120
90
60
30
0
10
0
2
T
J
= 55°C
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
V
DS
≥
10 V
3V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ Ω ）
图2.传输特性
0.03
I
D
= 110 A
T
J
= 25°C
0.02
0.014
T
J
= 25°C
0.012
0.01
0.008
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220 240
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V
100,000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10,000
T
J
= 175°C
1000
100
T
J
= 100°C
10
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5.0
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
