飞利浦半导体
PMR400UN
N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 1
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 0.25毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±8
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 0.2 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 0.1 A;
图7
和
8
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 0.075 A;
图7
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 0.3 A; V
GS
= 0 V;
图12
V
DD
= 15 V ;
L
= 15
;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 1 ; V
DD
= 15 V; V
GS
= 4.5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.89
0.1
0.2
43
7.7
4.8
4
7.5
18
4.5
0.76
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
-
-
-
-
400
660
480
580
480
816
580
830
m
m
m
m
-
-
-
-
-
10
1
100
100
A
A
nA
0.45
0.25
-
0.7
-
-
1
-
1.2
V
V
V
30
27
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
9397 750 12665
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月3日
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