飞利浦半导体
PMR400UN
N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
8.焊接
2.20
0.60
1.10
0.70
焊区
2
2.00 0.85
3
1
0.50
(3x)
MSA438
阻焊
1.50
占领区
锡膏
0.60
(3x)
1.90
尺寸（mm） 。
图15.重新溢流焊接足迹SOT416 （ SC - 75 ） 。
9.修订历史记录
表6：
版本日期
01
20040303
修订历史
CPCN
-
描述
产品数据（ 9397 750 12665 ）
9397 750 12665
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月3日
10 12
