飞利浦半导体
PMR400UN
N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
30
±8
0.8
0.51
1.61
0.53
+150
+150
0.44
0.88
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 12665
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产品数据
版本01 - 2004年3月3日
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