SGH30N60RUF
10000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 7
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
15
共发射极
R
L
= 10
T
C
= 25℃
V
CC
= 100 V
300 V
200 V
9
开关损耗[ UJ ]
EOFF
宙
1000
EOFF
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
60
12
6
3
100
15
30
45
0
0
20
40
60
80
100
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
200
100
I
C
MAX 。 （脉冲）
50us
I
C
MAX 。 （连续）
100us
1
10
直流操作
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
10
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.3
1
10
100
1000
0.1
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
1
1
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
热响应， Zthjc [ ℃ / W]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
PDM
t1
t2
单脉冲
1E-3
10
-5
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
SGH30N60RUF牧师A1
