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SGH30N60RUF
3500
3000
2500
2000
1500
1000
CRES
500
0
1
卓越中心
资本投资者入境计划
1000
共发射极
V
GE
= 0V , F = 1MHz的
T
C
= 25℃
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
电容[ pF的]
开关时间[ NS ]
Tr
100
10
10
1
10
100
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
栅极电阻,R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开,在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
花花公子
花花公子
Tf
10000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关损耗[ UJ ]
EOFF
1000
EOFF
Tf
100
100
1
10
100
1
10
100
栅极电阻,R
G
[
]
栅极电阻,R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ,R
G
= 7
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ,R
G
= 7
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
花花公子
100
Tr
Tf
花花公子
100
Tf
10
15
30
45
60
15
30
45
60
集电极电流,I
C
[A]
集电极电流,I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGH30N60RUF牧师A1

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