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SGH30N60RUF

IGBT

SGH30N60RUF

短路额定IGBT

概述

飞兆半导体的RUF系列绝缘栅双极晶体管

（ IGBT的）提供低传导和开关损耗

以及短路耐用性。联阵系列

设计

应用，如电机控制，

不间断电源（UPS ）和通用变频器

其中，短路耐用是必需的功能。

特点

短路额定10us的@ T

C

= 100℃ ，V

GE

= 15V

高速开关

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= 2.2 V @ I

C

= 30A

高输入阻抗

应用

交流&直流电机的控制，一般用途的逆变器，机器人和伺服控制。

C

G

E

TO-3P

克碳ê

绝对最大额定值

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CM （1）

T

SC

P

D

T

J

T

英镑

T

L

T

C

= 25 ° C除非另有说明

描述

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

集电极电流

集电极电流脉冲

短路承受时间

最大功率耗散

最大功率耗散

工作结温

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“从案例5秒

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 100°C

@ T

C

=100°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 100°C

SGH30N60RUF

600

±

20

48

30

90

10

235

90

-55到+150

-55到+150

300

单位

V

V

A

A

A

us

W

W

°C

°C

°C

注意事项：

（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值。

--

--

马克斯。

0.53

40

单位

° C / W

° C / W

2002仙童半导体公司

SGH30N60RUF牧师A1

SGH30N60RUF

IGBT的电气特性

T

符号

参数

C

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性

BV

CES

B

VCES

/

T

J

I

CES

I

GES

集电极 - 发射极击穿电压

分解温度系数

电压

集电极截止电流

G- ê漏电流

V

GE

= 0V时，我

C

= 250uA

V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安

V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V

V

GE

= V

GES

, V

CE

= 0V

600

--

--

--

--

0.6

--

--

--

--

250

± 100

V

V /°C的

uA

nA

基本特征

V

GE （日）

V

CE （ SAT ）

G- ê阈值电压

集电极到发射极

饱和电压

I

C

= 30mA时V

CE

= V

GE

I

C

= 30A

,

V

GE

= 15V

I

C

= 48A

,

V

GE

= 15V

5.0

--

--

6.0

2.2

2.5

8.5

2.8

--

V

V

V

动态特性

C

IES

C

OES

C

水库

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

CE

= 30V

,

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

--

--

--

1970

310

74

--

--

--

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

sc

Q

g

Q

ge

Q

gc

L

e

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

短路承受时间

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

内置发射器电感

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

--

10

--

--

--

--

30

65

54

138

919

814

1733

34

67

60

281

921

1556

2477

--

85

17

39

14

--

--

80

200

--

--

2430

--

--

90

400

--

--

3470

--

120

25

55

--

ns

ns

ns

ns

uJ

uJ

uJ

ns

ns

ns

ns

uJ

uJ

uJ

us

nC

nC

nC

nH

V

CC

= 300 V，I

C

= 30A,

R

G

= 7, V

GE

= 15V,

感性负载，T

C

= 25°C

V

CC

= 300 V，I

C

= 30A,

R

G

= 7, V

GE

= 15V,

感性负载，T

C

= 125°C

@

T

C

=

V

CC

= 300 V, V

GE

= 15V

100°C

V

CE

= 300 V，I

C

= 30A,

V

GE

= 15V

测量5毫米从PKG

2002仙童半导体公司

SGH30N60RUF牧师A1

SGH30N60RUF

90

80

70

共发射极

T

C

= 25℃

20V

15V

90

80

共发射极

V

GE

= 15V

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

集电极电流，I

C

[A]

70

60

50

40

30

20

10

0

集电极电流，I

C

[A]

60

12V

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

V

GE

= 10V

1

10

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

图1.典型的输出特性

图2.典型的饱和电压特性

5

40

共发射极

V

GE

= 15V

60A

35

30

45A

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

V

CC

= 300V

负载电流：方波的峰值

4

负载电流[ A]

3

30A

2

I

C

= 15A

25

20

15

10

1

5

0

-50

0

50

100

150

0

占空比： 50 ％

T

C

= 100℃

功耗= 45W

0.1

1

10

100

1000

外壳温度，T

C

[℃]

频率[千赫]

图3.饱和电压与案例

温度变电流等级

图4.负载电流与频率的关系

20

共发射极

T

C

= 25℃

20

共发射极

T

C

= 125℃

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

16

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

16

12

12

8

8

60A

4

I

C

= 15A

0

30A

4

I

C

= 15A

0

4

8

30A

60A

12

16

20

4

8

12

16

20

门 - 发射极电压，V

GE

[V]

门 - 发射极电压，V

GE

[V]

图5.饱和电压与V

GE

2002仙童半导体公司

图6.饱和电压与V

GE

SGH30N60RUF牧师A1

SGH30N60RUF

3500

3000

2500

2000

1500

1000

CRES

500

0

1

卓越中心

资本投资者入境计划

1000

共发射极

V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

T

C

= 25℃

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

I

C

= 30A

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

吨

电容[ pF的]

开关时间[ NS ]

Tr

100

10

10

1

10

100

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

栅极电阻，R

G

[

]

图7.电容特性

图8.打开，在主场迎战特点

栅极电阻

1000

开关时间[ NS ]

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

I

C

= 30A

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

花花公子

花花公子

Tf

10000

共发射极

V

CC

= 300V, V

GE

=

±

15V

I

C

= 30A

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

开关损耗[ UJ ]

宙

EOFF

1000

EOFF

Tf

100

100

1

10

100

1

10

100

栅极电阻，R

G

[

]

栅极电阻，R

G

[

]

图9.关断特性对比

栅极电阻

图10.开关损耗与栅极电阻

1000

共发射极

V

GE

=

±

15V ，R

G

= 7

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

1000

共发射极

V

GE

=

±

15V ，R

G

= 7

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

吨

开关时间[ NS ]

开关时间[ NS ]

花花公子

100

Tr

Tf

花花公子

100

Tf

10

15

30

45

60

15

30

45

60

集电极电流，I

C

[A]

集电极电流，I

C

[A]

图11.导通特性对比

集电极电流

2002仙童半导体公司

图12.关断特性对比

集电极电流

SGH30N60RUF牧师A1

SGH30N60RUF

10000

共发射极

V

GE

=

±

15V ，R

G

= 7

T

C

= 25℃

━━

T

C

= 125℃ ------

15

共发射极

R

L

= 10

T

C

= 25℃

V

CC

= 100 V

300 V

200 V

9

开关损耗[ UJ ]

EOFF

宙

1000

EOFF

门 - 发射极电压， V [ V]

GE

60

12

6

3

100

15

30

45

0

0

20

40

60

80

100

集电极电流，I

C

[A]

栅极电荷，Q

g

[ NC ]

图13.开关损耗与集电极电流

图14.栅极电荷特性

200

100

I

C

MAX 。（脉冲）

50us

I

C

MAX 。（连续）

100us

1

10

直流操作

100

集电极电流，I

C

[A]

集电极电流，I

C

[A]

10

1

单非重复性

脉冲吨

C

= 25℃

曲线必须降低

线性增长

温度

0.3

1

10

100

1000

0.1

安全工作区

V

GE

= 20V ，T

C

= 100℃

1

1

10

100

1000

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

图15. SOA特征

图16.打开，关闭的SOA特性

热响应， Zthjc [ ℃ / W]

1

0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

PDM

t1

t2

单脉冲

1E-3

10

-5

占空比D = T1 / T2

山顶TJ = PDM

×

Zthjc + T

C

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

矩形脉冲持续时间（秒）

IGBT图17.瞬态热阻抗

2002仙童半导体公司

SGH30N60RUF牧师A1

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