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三菱的LSI
M5M51R16AWG -10LI ， -12LI ， -15LI ，
-10HI ， -12HI ， -15HI
1048576 - BIT （ 65536 - WORD 16位） CMOS静态RAM
描述
该M5M51R16AWG是1048576位CMOS静态RAM
由16位，这是使用制造组织为65536字
高性能CMOS技术。采用CMOS细胞和
周边产生了高密度和低功率的静态RAM 。
该M5M51R16AWG可以实现低待机电流和低
操作电流和理想的电池备份应用程序。
该M5M51R16AWG封装在一个48引脚芯片级封装
这是一种高可靠性，高密度的表面安装器件
（SMD） 。使用这种类型的设备，它变得非常容易地设计
一个小系统。
该M5M51R16AWG与M5M51R16WG完全兼容。
引脚配置（顶视图）
1
A
BC1
2
3
4
5
6
OE
BC2
A
6
A
7
A
5
NC
A
3
A
2
A
1
A
4
NC
A
14
A
13
A
12
A
0
S
DQ
2
DQ
4
NC
DQ
1
DQ
3
B
DQ
16
C
DQ
14
DQ
15
D
GND DQ
13
V
CC
E
V
CC
F
DQ
11
DQ
10
A
9
A
10
A
11
DQ
7
W
A
15
DQ
6
DQ
8
NC
DQ
12
GND
DQ
5
GND
特征
电源电流
型号名称
M5M51R16AWG- 10LI
M5M51R16AWG- 12LI
M5M51R16AWG- 15LI
M5M51R16AWG- 10HI
M5M51R16AWG- 12HI
M5M51R16AWG- 15HI
存取时间
（最大）
100ns
120ns
150ns
100ns
120ns
150ns
活跃
（最大）
待用
（最大）
4A
10mA
(1MHz)
2A
G
DQ
9
NC
A
8
H
NC
引脚配置（底视图）
单+ 1.8V 2.7V电源
低功耗下的电流0.05μA （典型值）。
直接TTL兼容：所有输入和输出
易于扩展的内存和功率下降S， BC1和BC2
数据在+ 1.0V电源举行
三态输出：或领带的能力
OE防止数据争用的I / O总线
通用数据的I / O
通过BC1和BC2独立控制上下字节
包
48引脚芯片级封装（ CSP）的
球间距： 0.75毫米
包装规格： 7.0毫米X 8.5毫米
应用
小容量的存储单元。
6
A
NC
5
4
3
2
1
A
0
S
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
7
W
A
15
A
3
A
2
A
1
A
4
NC
A
14
A
13
A
12
A
6
A
7
A
5
NC
GND
A
9
A
10
A
11
OE
BC2
BC1
DQ
16
B
DQ
1
C
DQ
3
DQ
15
DQ
14
DQ
13
GND
DQ
12
V
CC
DQ
10
DQ
11
NC
A
8
DQ
9
NC
D
V
CC
E
GND
F
DQ
6
G
DQ
8
H
NC
概要
48FJA
NC ：无连接
8月1日。 1998年
三菱
电
1
