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三菱的LSI
M5M51R16AWG -10LI ， -12LI ， -15LI ，
-10HI ， -12HI ， -15HI
1048576 - BIT （ 65536 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M51R16A系列的操作模式是
通过设备控制的组合来确定
输入S， W， OE ， BC1和BC2 。每个模式
总结在表的功能。
执行写入周期时的水平低W
与低级别BC1和/或BC2和重叠
低级别S.地址必须设置前
写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到细胞上的后缘
W， BC1 ， BC2或S ，以先到为准，要求
设置和保持相对于这些边缘的时间是
维护。输出直接使能输入OE
控制所述输出级。设置OE在一个较高的
级，输出级处于高阻抗状态，
而在写周期中的数据总线争用问题
被消除。
读周期由在较高的水平设置W执行
和OE为低电平而BC1和/或BC2和S
处于活动状态。 （ BC1和/或BC2 = L，S = L）的
当设定的BC1在高电平，而另一个销
处于活动状态时，上部字节是一个可选择的
模式中，读写使能，
和低级 - 字节处于非选择的模式。和
设置BC2在高电平，而另一个标签时
处于活动状态时，较低的字节是在一个可选择的
模式中，读写使能，
和上 - 字节处于非选择的模式。
当设置BC1和BC2在以高电平或S
高电平时，芯片是在一个非选择的模式
其读取和写入都被禁止。
在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或-tie与其他芯片和内存
扩张BC1 ， BC2和S. S， BC1和BC2
控制电源关断功能。当S ， BC1和
BC2变高时，电源电流被减小为
低作为被指定为ICC3待机电流
或ICC4 ，并且存储器的数据可以在+ 1.0V举行
电源，使电池备份操作
期间，在电源故障或断电的操作
未选择的模式。
功能表
S W OE BC1 BC2
L H L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
L
L
X
X
X
H
L
L
H
L
X
H
X
模式
字读
上部字节读
低字节读
（高字节非选择）
ICC
DQ1 8 DQ9 16
DOUT
活跃
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
L
（低字节非选择）
高-Z
H
L
L
H
X
H
X
DOUT
DIN
高-Z
DIN
字写
高字节写
（低字节非选择）
低字节写
（高字节非选择）
H H
X X
X X
输出禁用
非选择
非选择
高-Z高阻活动
高-Z高阻待机
高-Z高阻待机
（高Z =高阻抗）
框图
A4 D4
A3 A4
A2 B4
A1 C4
A0 A5
A15 H5
A14 F4
A13 G4
A12 H4
地址
输入
65536字X16 BITS
（ 512行
X 256列
×8块）
B6 DQ1
C5 DQ2
C6 DQ3
D5 DQ4
E5 DQ5
F6 DQ6
F5 DQ7
G6 DQ8
G1 DQ9
F2 DQ10
A8 H2
A9 F3
A10 G3
A11 H3
F1 DQ11
E2 DQ12
D2 DQ13
C1 DQ14
C2 DQ15
B1 DQ16
A7 B3
A5 C3
A6 A3
时钟
发电机
芯片选择
S B5
输入
写控制
W输入G5
输出使能OE A2
输入
字节
控制
输入
BC2 B2
BC1 A1
D6的Vcc
E1的Vcc
E6 GND
(0V)
D1 GND
(0V)
E3 GND
(0V)
数据
输入/
输出
8月1日。 1998年
三菱
电
2
