位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1144页 > M5M51R16AWG-10HI > M5M51R16AWG-10HI PDF资料 > M5M51R16AWG-10HI PDF资料1第4页
三菱的LSI
M5M51R16AWG -10LI ， -12LI ， -15LI ，
-10HI ， -12HI ， -15HI
1048576 - BIT （ 65536 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（大= - 40 85°C ， VCC = 1.8V 2.7V ，除非另有说明）
（1）测定条件
输入脉冲电平 V
IH
= 0.7× VCC + 0.2V ，V
IL
= 0.2V
1 TTL
输入上升和下降时间为5ns
参考电平 V
OH
= 0.9V, V
OL
= 0.9V
DQ
输出负载图1 ，C
L
= 30pF的
C
L
= 5pF的（对
t
EN ，
t
DIS ）
转变是从稳定的测量± 200mV的
态电压。 （为
t
EN ，
t
DIS ）
C
L
（包括适用范围
和JIG ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
BC1访问时间
BC2访问时间
输出启用访问时间
之后的高输出禁止时间
后BC1高输出禁止时间
之后BC2高输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
之后的低输出使能时间
输出使能后BC1低电平时间
输出使能后， BC2低的时间
OE后低输出使能时间
地址更改后的数据有效时间
-10LI,-10HI
民
最大
100
100
100
100
100
50
35
35
35
35
10
10
10
5
10
-12LI,-12HI
民
最大
120
120
120
120
120
60
40
40
40
40
10
10
10
5
10
-15LI,-15HI
民
最大
150
150
150
150
150
75
50
50
50
50
10
10
10
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CR
t
a(A)
t
A（ S）
t
a(BC1)
t
a(BC2)
t
一个（OE）
t
DIS （S ）
t
dis(BC1)
t
dis(BC2)
t
DIS （ OE ）
t
烯（S ）
t
en(BC1)
t
en(BC2)
t
EN（ OE ）
t
V
(A)
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址设置时间就为W
BC1建立时间
BC2建立时间
芯片选择成立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
后W低输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
输出使能后， W高时间
OE后低输出使能时间
输出使能后BC1低电平时间
输出使能后， BC2低的时间
-10LI,-10HI
民
最大
100
75
0
85
85
85
85
50
0
0
35
35
5
5
10
10
5
5
10
10
-12LI,-12HI
民
最大
120
85
0
100
100
100
100
55
0
0
40
40
-15LI,-15HI
民
最大
150
100
0
120
120
120
120
60
0
0
50
50
5
5
10
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CW
t
w(W)
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
su(BC1)
t
su(BC2)
t
SU（ S）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ W）
t
EN（ OE ）
t
en(BC1)
t
en(BC2)
8月1日。 1998年
三菱
电
4
