AS5043
数据表 - 仿真模型
16仿真建模
图21 ：霍尔传感器阵列的芯片配置（原理）
参考图21 ，一径向磁化的永久磁铁被置于上方或的表面下
AS5043 。该芯片采用霍尔传感器的阵列来样的磁场的分布在垂直方向的向量
器件封装表面。磁灵敏度的面积为1.1毫米半径的圆形轨迹相对于中心
模具中。霍尔传感器的磁敏感区域进行分组和配置，使得正交相关
的磁场的分量进行差分采样。
差分信号Y1- Y2将给出磁场的正弦向量。差分信号X1 - X2将给出一个
正交相关的磁场的矢量的余弦。
的角位移，参照霍尔传感器阵列的磁源（Θ ）然后可被建模为
该
±0.5°
角度误差假定磁铁最佳比在模具的中心，并是增益失配的结果
该AS5043的错误。管芯的封装内放置公差
±0.235mm
在X和Y方向上，用
引脚1的边缘基准点（图21） 。
为了消除外部干扰磁场的强大的差分采样技术和比例的影响，
计算算法已经实现。正弦和余弦向量进行差分采样，能够消除任何
共模误差由于由磁源本身或外部干扰磁场的直流分量
场。正弦和余弦向量进行比例分配，则不再需要的精确的绝对星等
磁场和磁源从而Z轴精确对准。
Te
c
的磁场强度B的推荐差分输入范围（
(X1-X2)
,B
(Y1-Y2)
）是
±75mT
在该表面
死了。除了该范围内，额外的偏移
±5mT,
造成不必要的外部杂散磁场是允许的。
该芯片将继续工作，但与退化的输出线性，如果信号的场强是外
推荐范围。过强的磁场会引入错误是由于内部饱和效应
前置放大器。过弱的磁场会引入噪声引起越来越占主导地位的错误。
hn
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Θ =
反正切
(
Y
1
Y
2
)
±
0.5
°
(
X
1
X
2
)
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修订版1.80
lv
22 – 36
al
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