恩智浦半导体
74HC373 ; 74HCT373
八路D型透明锁存器;三态
表8 。
动态特性74HC373
- 续
电压参考GND（地= 0V） ;
L
= 50 pF的，除非另有规定ED ;测试电路见
图12 。
符号参数
t
h
保持时间
条件
DN埃镑;看
图11
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
en
是相同为T
PZH
和T
PZL
.
t
DIS
是相同为T
PLZ
和T
PHZ
.
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
(C
L
V
CC2
f
o
） =产出的总和。
民
5
5
5
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
表9 。
动态特性74HCT373
电压参考GND（地= 0V） ;
L
= 50 pF的，除非另有规定ED ;测试电路见
图12 。
符号参数
T
AMB
= 25
C
t
pd
传播延迟
DN至Qn ;看
图8
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5 V ;
L
= 15 pF的
LE至Qn ;看
图9
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5 V ;
L
= 15 pF的
t
en
t
DIS
t
t
t
W
t
su
t
h
C
PD
启用时间
禁止时间
转换时间
脉冲宽度
建立时间
保持时间
功率耗散电容
OE到Qn ;看
图10
V
CC
= 4.5 V
OE到Qn ;看
图10
V
CC
= 4.5 V
QN ;看
图8
和
图9
V
CC
= 4.5 V
LE高;看
图9
V
CC
= 4.5 V
DN埃镑;看
图11
V
CC
= 4.5 V
DN埃镑;看
图11
V
CC
= 4.5 V
每个锁存器;
V
I
= GND为（V
CC
1.5 V)
[5]
[4]
[3]
[2]
[1]
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
16
12
4
-
17
14
16
13
19
18
5
4
6
1
41
30
-
32
-
32
30
12
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT373
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启5 - 2011年12月13日
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