恩智浦半导体
74HC373 ; 74HCT373
八路D型透明锁存器;三态
表9 。
动态特性74HCT373
- 续
电压参考GND（地= 0V） ;
L
= 50 pF的，除非另有规定ED ;测试电路见
图12 。
符号参数
t
h
保持时间DN为LE
条件
DN埃镑;看
图11
V
CC
= 4.5 V
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
t
en
是相同为T
PZH
和T
PZL
.
t
DIS
是相同为T
PLZ
和T
PHZ
.
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
(C
L
V
CC2
f
o
） =产出的总和。
民
4
典型值
-
最大
-
单位
ns
11.波形
DN输入
V
M
t
PLH
90 %
QN输出
V
M
10 %
t
TLH
t
PHL
t
THL
001aae082
在测量点中给出
表10 。
图8 。
传播延迟输入（ DN）输出型（QN ）和过渡时间输出型（QN ）
LE输入
V
M
t
W
t
PHL
90 %
QN输出
t
THL
V
M
10 %
t
TLH
001aae083
t
PLH
在测量点中给出
表10 。
图9 。
脉冲宽度锁存使能输入（ LE ） ，传播延迟（ LE ）输出型（QN ）和过渡时间输出型（QN ）
74HC_HCT373
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启5 - 2011年12月13日
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