集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT373
八路D型透明锁存器;
3-state
产品speci fi cation
在集成电路， IC06文件
1993年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路D型透明锁存器;三态
特点
公交三态非反相输出导向
应用
常见的三态输出使能输入
功能上等同于“ 563 ”，“ 573 ”和“ 533 ”
输出能力：公交车司机
I
CC
类别： MSI
概述
该74HC / HCT373是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT373是八路D型透明锁存器
设有独立的D型输入，每个锁存器和三态
输出的总线型应用。锁存使能（ LE ）
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒
74HC/HCT373
输入端和一个输出使能（OE ）输入通用于所有
锁存器。
在“ 373 ”共有八D型透明锁存器
三态真实输出。当LE为高电平时，数据在D
n
输入端进入锁存器。在这种条件下，锁存器
透明的，即锁存器输出将每次改变状态
其对应的D输入端的变化。
当LE为低电平时，锁存器存储是信息
出现在D输入端一个建立时间之前的
HIGH到LOW LE的过渡。当OE是低电平时，
8个锁存器的内容，可在输出端。
当OE为高电平时，输出为高阻
OFF状态。将OE输入的操作不影响
锁存器的状态。
在“ 373 ”在功能上等同于“ 533 ”，“ 563 ”和
“ 573 ” ，但“ 563 ”和“ 533 ”已反相的输出和
在“ 563 ”和“ 573 ”具有不同的管脚排列。
典型
符号
t
PHL
/ t
PLH
参数
传播延迟
D
n
以Q
n
LE到Q
n
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
。对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V
订购信息
SEE
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑封装信息” 。
输入电容
每个锁存器的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
12
15
3.5
45
14
13
3.5
41
ns
ns
pF
pF
HCT
单位
1993年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路D型透明锁存器;三态
引脚说明
PIN号
1
2, 5, 6, 9, 12, 15, 16, 19
3, 4, 7, 8, 13, 14, 17, 18
10
11
20
符号
OE
Q
0
以Q
7
D
0
到D
7
GND
LE
V
CC
名称和功能
74HC/HCT373
三态输出使能输入（低电平有效）
三态输出锁存器
数据输入
接地（ 0 V ）
锁存使能输入（高电平有效）
正电源电压
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
图3 IEC逻辑符号。
1993年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
八路D型透明锁存器;三态
直流特性FOR 74HC
对于DC特性见
“ 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列特定网络阳离子” 。
输出能力：公交车司机
I
CC
类别： MSI
AC特性74HC
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的
T
AMB
(°C)
74HC
符号
参数
+25
40
to
+85
40
to
+125
马克斯。
225
45
38
265
53
45
225
45
38
225
45
38
90
18
15
120
24
20
75
15
13
5
5
5
ns
74HC/HCT373
测试条件
单位V
波形
CC
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
Fig.7
MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。
t
PHL
/ t
PLH
传播延迟
D
n
以Q
n
传播延迟
LE到Q
n
三态输出使能时间
OE为Q
n
三态输出禁止时间
OE为Q
n
输出转换时间
41
15
12
50
18
14
44
16
13
47
17
14
14
5
4
80
16
14
50
10
9
5
5
5
17
6
5
14
5
4
8
3
2
150
30
26
175
35
30
150
30
26
150
30
26
60
12
10
100
20
17
65
13
11
5
5
5
190
38
33
220
44
37
190
38
33
190
38
33
75
15
13
t
PHL
/ t
PLH
ns
Fig.8
t
PZH
/ t
PZL
ns
Fig.9
t
PHZ
/ t
PLZ
ns
Fig.9
t
THL
/ t
TLH
ns
Fig.7
t
W
LE脉冲宽度
高
建立时间
D
n
以LE
保持时间
D
n
以LE
ns
Fig.8
t
su
ns
Fig.10
t
h
ns
Fig.10
1993年9月
5
74HC373 ; 74HCT373
八路D型透明锁存器;三态
启5 - 2011年12月13日
产品数据表
1.概述
该74HC373 ; 74HCT373是高速硅栅CMOS器件，其引脚兼容
低功耗肖特基TTL 。它被指定符合JEDEC标准没有。 7A 。
该74HC373 ; 74HCT373是一个八进制D型透明锁存器具有独立的D型
投入公交导向的应用程序的每个锁存和三态输出。锁存使能（ LE ）
输入端和一个输出使能（OE ）输入通用于所有锁存器。
该74HC373 ; 74HCT373由八D型透明锁存器与三态真
输出。当LE为高电平时，在DN输入数据进入锁存器。在这种状态下
锁存器是透明的，即锁存器输出将每次改变状态及其相应的
D输入的变化。
当LE为低电平时，锁存器存储存在信息的D输入，一
建立时间LE的高到低的跳变前。当OE为低电平时，内容
8个锁存器可在输出端。当OE为高电平时，输出进入高
阻抗OFF状态。将OE输入的操作不影响锁存器的状态。
该74HC373 ; 74HCT373在功能上等同于：
74HC563 ; 74HCT563 ：但反转输出和不同的引脚排列
74HC573 ; 74HCT573 ：但不同的引脚排列
2.特点和好处科幻TS
公交导向的应用三态非反相输出
常见的三态输出使能输入
功能上等效于74HC563 ; 74HCT563和74HC573 ; 74HCT573
ESD保护：
HBM JESD22 - A114F超过2 000 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
恩智浦半导体
74HC373 ; 74HCT373
八路D型透明锁存器;三态
5.管脚信息
5.1钢钉
74HC373
74HCT373
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 V
CC
19 Q7
Q0
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 LE
001aae046
74HC373
74HCT373
1号航站楼
索引区
2
3
4
5
6
7
8
9
GND 10
LE 11
GND
(1)
20 V
CC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
OE
1
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND 10
001aae047
透明的顶视图
（1）模具基体是利用连接到该垫
导电芯片粘接材料。它不能被用作
电源引脚或输入。
图6 。
引脚配置DIP20 ， SO20 ， SSOP20和
TSSOP20
图7 。
引脚配置DHVQFN20
5.2引脚说明
表2中。
符号
OE
Q0, Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7
D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7
GND
LE
V
CC
引脚说明
针
1
2, 5, 6, 9, 12, 15, 16, 19
3, 4, 7, 8, 13, 14, 17, 18
10
11
20
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
三态输出锁存器
数据输入
接地（ 0 V ）
锁存使能输入（高电平有效）
电源电压
74HC_HCT373
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产品数据表
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4 26
恩智浦半导体
74HC373 ; 74HCT373
八路D型透明锁存器;三态
6.功能描述
6.1功能表
表3中。
功能表
[1]
控制
OE
启用和读取寄存器
（透明模式）
锁存器和寄存器读
锁存器和禁用
输出
[1]
H =高电压电平;
H =高电平电压电平一个建立时间之前的高到低的LE的过渡;
L =低电压电平;
我=低电压电平的一个建立时间之前的高到低的LE的过渡;
X =不关心;
Z =高阻关断状态。
经营模式
输入
LE
H
L
X
Dn
L
H
l
h
X
内部锁存器
L
H
L
H
X
产量
Qn
L
H
L
H
Z
L
L
H
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
DIP20封装
SO20封装
SSOP20封装
TSSOP20封装
DHVQFN20包
[1]
[2]
[3]
[4]
对于DIP20封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO20 ：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于SSOP20和TSSOP20封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
对于DHVQFN20包：P
合计
减额线性4.5毫瓦/ K以上60
C.
[1]
[2]
[3]
[3]
[4]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
O
=
0.5
V到（V
CC
+ 0.5 V)
民
0.5
-
-
-
-
-
65
-
-
最大
+7
20
20
35
+70
70
+150
750
500
500
500
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
C
mW
mW
mW
mW
mW
-
500
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5 26
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