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BSP315P
SIPMOS
小信号三极管
特点
P沟道
增强型
产品概述
漏源电压
V
DS
-60
0.8
-1.17
V
A
额定雪崩
逻辑电平
dv / dt的额定
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
连续漏电流
I
D
4
销1
Pin2/4
3脚
符合AEC Q101标准
HalogenfreeaccordingtoIEC61249221
G
D
S
2
1
3
VPS05163
TYPE
BSP315P
包
PG-SOT223
磁带和卷轴信息
H6327:
1000个/卷
记号
BSP315P
价值
-1.17
-0.94
包装
非干
单位
A
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
I
D
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
I
PULS
-4.68
24
0.18
6
KV / μs的
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
mJ
I
D
= -1.17 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
E
AR
dv / dt的
I
S
= -1.17 A,
V
DS
= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗
V
GS
±20
1.8
-55...+150
55/150/56
CLASS 0
V
W
°C
P
合计
T
A
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
英镑
ESD等级; JESD22- A114- HBM
Rev.1.7
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2012-11-26
