BSP315P
SIPMOS
小信号三极管
特点
P沟道
增强型
产品概述
漏源电压
V
DS
-60
0.8
-1.17
V
A
额定雪崩
逻辑电平
dv / dt的额定
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
连续漏电流
I
D
4
销1
Pin2/4
3脚
符合AEC Q101标准
HalogenfreeaccordingtoIEC61249221
G
D
S
2
1
3
VPS05163
TYPE
BSP315P
包
PG-SOT223
磁带和卷轴信息
H6327:
1000个/卷
记号
BSP315P
价值
-1.17
-0.94
包装
非干
单位
A
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
I
D
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
I
PULS
-4.68
24
0.18
6
KV / μs的
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
mJ
I
D
= -1.17 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
E
AR
dv / dt的
I
S
= -1.17 A,
V
DS
= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗
V
GS
±20
1.8
-55...+150
55/150/56
CLASS 0
V
W
°C
P
合计
T
A
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
英镑
ESD等级; JESD22- A114- HBM
Rev.1.7
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2012-11-26
BSP315P
热特性
参数
特征
热阻，结 - 焊接点
（引脚4 ）
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
值
典型值。
-
马克斯。
25
K / W
K / W
-
-
-
-
115
70
单位
R
thjs
R
thJA
-
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
值
典型值。
-
-1.5
马克斯。
-
-2
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.8
0.5
-1
-100
-100
1.4
0.8
nA
V
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-60
-1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= -160 A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -0.89 A
漏源导通电阻
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.17 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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2012-11-26
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