IXTA10P50P IXTQ10P50P
IXTP10P50P IXTH10P50P
图。 7.输入导纳
-16
-14
-12
16
24
T
J
= - 40C
20
图。 8.跨导
I
D
- 安培
-8
-6
-4
-2
0
-3.5
g
F小号
- 西门子
-10
25C
T
J
= 125C
25C
- 40C
12
125C
8
4
0
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
-30
-10
-9
-25
-8
-7
V
DS
= - 250V
I
D
= - 5A
I
G
= -1mA
-20
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-15
T
J
= 125C
-10
-5
0
-0.5
0
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
- 100
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
R
DS （ ON）
极限
西塞
- 10
25s
1,000
I
D
- 安培
100s
1ms
10ms
科斯
100
-1
T
J
= 150C
CRSS
T
C
= 25C
单脉冲
- 0.1
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-10
- 100
DC
100ms
10
- 1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
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