IXTA10P50P IXTQ10P50P
IXTP10P50P IXTH10P50P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
（ TO-3P & TO-247 ）
(TO-220)
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= - 5A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= - 5A ， -di / DT = -100A / μs的
V
R
= -100V, V
GS
= 0V
414
5.90
- 28.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
- 10
- 40
-3
A
A
V
ns
μC
A
0.25
0.50
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0 .5 I
D25
R
G
= 3.3Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= - 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
11
2840
275
42
20
28
52
44
50
17
18
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
° C / W
记
1:
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4860072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
