【PolarPTM功率MOSFETP沟道增强模式额定雪崩TO- 263 AA （ IXTA ）IXTA】,IC型号IXTH10P50P,IXTH10P50P PDF资料,IXTH10P50P经销商,ic,电子元器件-51电子网

PolarP

功率MOSFET

P沟道增强模式

额定雪崩

TO- 263 AA （ IXTA ）

IXTA10P50P

IXTP10P50P

IXTQ10P50P

IXTH10P50P

DS （ ON）

DSS

D25

≤

- 500V

- 10A

1Ω

TO- 220AB （ IXTP ）

TO-3P （ IXTQ ）

D（ TAB ）

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料机身10秒

安装扭矩（ TO- 3P ， TO- 220 & TO- 247 ）

TO-263

TO-220

TO-3P

TO-247

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

, V

≤

DSS

, T

≤

150°C

= 25°C

D（ TAB ）

最大额定值

- 500

±20

±30

- 10

- 30

- 10

1.5

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

1.13/10

2.5

3.0

5.5

6.0

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

D（ TAB ）

TO- 247 （ IXTH ）

D（ TAB ）

=漏

TAB =漏

G =门

S =源

特点

国际标准封装

额定雪崩

坚固PolarP

过程

低封装电感

快速内在二极管

优势

易于安装

节省空间

高功率密度

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= - 250μA

= V

, I

= - 250μA

±20V,

= 0V

= V

DSS

, V

= 0V

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

- 500

- 2.0

- 4.0

应用

高边开关

推挽放大器

直流斩波器

自动测试设备

电流调节器

±100

- 10

μA

- 250

μA

= -10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

DS99911C(12/12)

IXTA10P50P IXTQ10P50P

IXTP10P50P IXTH10P50P

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

（ TO-3P & TO-247 ）

(TO-220)

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= - 5A ，V

= 0V ，说明1

= - 5A ， -di / DT = -100A / μs的

= -100V, V

= 0V

414

5.90

- 28.6

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

- 10

- 40

-3

μC

0.25

0.50

= -10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

电阻开关时间

= -10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0 .5 I

D25

= 3.3Ω （外部）

= 0V, V

= - 25V ， F = 1MHz的

= -10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

6.5

2840

275

0.42

° C / W

记

脉冲测试，T

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4860072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXTA10P50P IXTQ10P50P

IXTP10P50P IXTH10P50P

TO- 263 （ IXTA ）大纲

TO- 247 （ IXTH ）大纲

端子： 1 - 门

2 - 漏极

DIM 。

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

TO- 220 （ IXTP ）大纲

TO- 3P （ IXTQ ）大纲

引脚：

1 - GATE

2 - 漏极

IXTA10P50P IXTQ10P50P

IXTP10P50P IXTH10P50P

图。 1.输出特性@ T

= 25C

-10

-9

-8

-7

-18

- 6V

- 7V

= -10V

- 7V

-26

= -10V

- 8V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

-22

- 安培

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-2

-3

-4

-5

-6

- 安培

-14

- 6V

-10

- 5V

-6

- 5V

-2

-7

-8

-9

-10

-4

-8

-12

-16

-20

-24

-28

-32

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 125C

-10

-9

-8

= -10V

- 7V

2.2

2.6

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= - 5A值与

结温

= -10V

- 安培

-7

- 6V

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

- 5V

DS （ ON）

- 归

1.8

= -10A

= - 5A

1.4

1.0

0.6

0.2

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= - 5A值与

漏电流

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

-2

-6

-10

-14

-18

-22

-26

-50

-25

= -10V

= 125C

-9

-11

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

DS （ ON）

- 归

- 安培

= 25C

-7

-5

-3

-1

100

125

150

- 安培

TC - 摄氏

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTA10P50P IXTQ10P50P

IXTP10P50P IXTH10P50P

图。 7.输入导纳

-16

-14

-12

= - 40C

图。 8.跨导

- 安培

-8

-6

-4

-2

-3.5

F小号

- 西门子

-10

25C

= 125C

25C

- 40C

125C

-4.0

-4.5

-5.0

-5.5

-6.0

-6.5

-2

-4

-6

-8

-10

-12

-14

-16

-18

- 伏特

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

-30

-10

-9

-25

-8

-7

= - 250V

= - 5A

= -1mA

-20

图。 10.栅极电荷

- 安培

- 伏特

= 25C

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-15

= 125C

-10

-5

-0.5

-1

-1.5

-2

-2.5

-3

-3.5

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

- 100

图。 12.正向偏置安全工作区

= 1兆赫

电容 - 皮法

DS （ ON）

极限

西塞

- 10

25s

1,000

- 安培

100s

1ms

10ms

科斯

100

-1

= 150C

CRSS

= 25C

单脉冲

- 0.1

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-10

- 100

100ms

- 1000

- 伏特

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